F60C1A0004-M79R
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €82.002,95 EUR | €82.002,95 EUR |
| 15+ | €75.442,71 EUR | €1.131.640,65 EUR |
| 25+ | €73.802,66 EUR | €1.845.066,50 EUR |
| 50+ | €69.702,51 EUR | €3.485.125,50 EUR |
| 100+ | €61.502,21 EUR | €6.150.221,00 EUR |
| N+ | €12.300,44 EUR | Price Inquiry |
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Lexar Enterprise DDR3L DRAM-Speicher-IC - F60C1A0004-M79R
Hochleistungsfähiger 4-Gbit-DDR3L-DRAM-Speicherchip von Lexar Enterprise, entwickelt für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation. Dieses Originalbauteil verfügt über eine 256M x 16-Speicheranordnung in einem kompakten 96-BGA-SMD-Gehäuse.
Hauptmerkmale
- Hochdichter Speicher: 4 Gbit Kapazität mit 256M x 16 Organisation
- Betrieb mit geringem Stromverbrauch: DDR3L-Technologie mit dualer Spannungsversorgung (1,283 V–1,45 V / 1,425 V–1,575 V)
- Breiter Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von 0 °C bis 95 °C
- Kompakte Bauform: 96-BGA-Oberflächenmontagegehäuse für platzsparende Designs
- RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung
- Autorisierter Lagerbestand: Original Lexar Enterprise-Komponente mit vollständiger Herstellerdokumentation und Rückverfolgbarkeit
Anwendungen
Ideal für hochzuverlässige Systeme, die bewährte Speicherlösungen benötigen: eingebettete Computerplattformen, industrielle Steuerungssysteme, Telekommunikationsinfrastruktur, Automobilelektronik und Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt.
Vollständige technische Spezifikationen
Warum Sie sich für unsere Komponenten entscheiden sollten: Wir bieten Ihnen Originalprodukte von Lexar Enterprise mit vollständiger Herstellerdokumentation, lückenloser Rückverfolgbarkeit und langfristigem Support. Alle Komponenten stammen von autorisierten Distributoren, um Authentizität und Zuverlässigkeit für Ihre geschäftskritischen Anwendungen zu gewährleisten.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Lexar Enterprise |
| Produktserie | |
| Verpackung | | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | DRAM |
| Speichergröße | 4 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 256 m x 16 |
| Speicherschnittstelle | - |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannungsversorgung | 1,283 V ~ 1,45 V, 1,425 V ~ 1,575 V |
| Betriebstemperatur | 0 °C ~ 95 °C |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | - |
| Gerätepaket des Lieferanten | 96-BGA |
| RoHS |

F60C1A0004-M79R.pdf