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Cypress Semiconductor Corp

FM24CL04B-G

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FM24CL04B-G - Hochleistungsfähiger 4-Kbit-F-RAM-Speicher-IC

Der FM24CL04B-G von Cypress Semiconductor ist ein hochmoderner 4-Kbit-Ferroelektrikum-RAM (F-RAM, 512 x 8), der für Anwendungen entwickelt wurde, die eine schnelle, nichtflüchtige Datenspeicherung mit praktisch unbegrenzter Schreibausdauer erfordern. Diese fortschrittliche Speicherlösung vereint die Geschwindigkeit von SRAM mit der Nichtflüchtigkeit von Flash-Speicher und eignet sich daher ideal für industrielle Steuerungssysteme, intelligente Zähler, medizinische Geräte und eingebettete Systeme, bei denen Datenintegrität und Zuverlässigkeit von entscheidender Bedeutung sind.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Ultraschneller Zugriff: Die Zugriffszeit von 550 ns gewährleistet einen schnellen Datenabruf für zeitkritische Anwendungen.
  • Betrieb mit niedrigem Stromverbrauch: Der Versorgungsspannungsbereich von 2,7 V bis 3,6 V optimiert die Energieeffizienz.
  • Industriestandard-I2C-Schnittstelle: 1 MHz Taktfrequenz ermöglicht nahtlose Integration mit Mikrocontrollern
  • Erweiterter Temperaturbereich: Betrieb bei -40 °C bis 85 °C für raue Industrieumgebungen
  • Nahezu unbegrenzte Lebensdauer: Die F-RAM-Technologie unterstützt 10^14 Lese-/Schreibzyklen.
  • Sofortige nichtflüchtige Schreibvorgänge: Keine Schreibverzögerungen oder Batterie-Backup erforderlich
  • Kompaktes Oberflächenmontagegehäuse: Das 8-SOIC-Gehäuse spart wertvollen Platz auf der Platine.

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Der FM24CL04B-G ist perfekt geeignet für:

  • Industrielle Automatisierung und Prozesssteuerung
  • Intelligente Energiezähler und Versorgungsüberwachung
  • Medizinische Instrumente und Patientenüberwachung
  • Fahrzeugelektronik und Blackbox-Recorder
  • Netzwerkinfrastruktur und Telekommunikation
  • Datenprotokollierungs- und Ereignisaufzeichnungssysteme
  • Speicherung von Konfigurations- und Kalibrierungsdaten

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Cypress Semiconductor Corp
Produktserie F-RAM™
Verpackung Massenware |
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat FRAM
Technologie FRAM (Ferroelektrischer RAM)
Speichergröße 4Kbit
Speicherorganisation 512 x 8
Speicherschnittstelle I2C
Taktfrequenz 1 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit 550 ns
Spannungsversorgung 2,7 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 8-SOIC
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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