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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25B32CS2GR

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GD25B32CS2GR – Hochleistungsfähiger 32-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher

Der GD25B32CS2GR von GigaDevice Semiconductor bietet zuverlässigen, schnellen, nichtflüchtigen Speicher für anspruchsvolle Embedded-Anwendungen. Dieser 32-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher (4M x 8) vereint herausragende Leistung mit industrieller Zuverlässigkeit.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Geschwindigkeit: Die Taktfrequenz von 80 MHz bei einer Zugriffszeit von 7 ns gewährleistet einen schnellen Datenabruf für zeitkritische Anwendungen.
  • Flexible Schnittstelle: Die SPI-Quad-I/O-Schnittstelle maximiert den Durchsatz bei minimaler Pin-Anzahl.
  • Breiter Betriebsbereich: Temperaturbereich von -40 °C bis 105 °C und Versorgungsspannung von 2,7 V bis 3,6 V für raue Industrieumgebungen
  • Kompaktes SMD-Gehäuse: 8-SOIC-Gehäuse (5,30 mm Breite) optimiert den Platzbedarf auf Platinen in platzbeschränkten Designs
  • Industrielle Zuverlässigkeit: Bewährte Architektur der GD25B-Serie für Automobil-, Luft- und Raumfahrt- sowie industrielle Steuerungssysteme

Ideale Anwendungsbereiche

Ideal für die Speicherung von eingebetteter Firmware, Bootcode, Konfigurationsdaten, Datenprotokollierung, IoT-Geräten, industriellen Steuerungen, Automobilelektronik und Unterhaltungselektronik, die einen zuverlässigen nichtflüchtigen Speicher benötigen.

Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Produktserie GD25B
Verpackung Tonband & Spule (TR) |
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat BLITZ
Technologie FLASH - NOR (SLC)
Speichergröße 32 Mbit
Speicherorganisation 4 m x 8
Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O
Taktfrequenz 80 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 60µs, 4ms
Zugriffszeit 7 ns
Spannungsversorgung 2,7 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 105 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0,209", 5,30 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 8-SOP

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