GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25B32EEAGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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GD25B32EEAGR – Hochleistungsfähiger 32-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher
Der GD25B32EEAGR von GigaDevice Semiconductor ist ein hochzuverlässiger 32-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher (4M x 8), der speziell für anspruchsvolle Industrie- und Embedded-Anwendungen entwickelt wurde. Dieser fortschrittliche Flash-Speicher verfügt über eine Quad-I/O-SPI-Schnittstelle für einen erhöhten Datendurchsatz und arbeitet zuverlässig in einem erweiterten Temperaturbereich von -40 °C bis 125 °C. Dadurch eignet er sich ideal für Anwendungen in der Automobilindustrie, der industriellen Steuerungstechnik, IoT-Geräten und unternehmenskritischen Systemen.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hochdichter Speicher: 32 Mbit Kapazität, organisiert als 4M x 8, bietet ausreichend Platz für Firmware, Konfigurationsdaten und Anwendungscode.
- Schnelle SPI-Quad-I/O-Schnittstelle: Unterstützt serielle Hochgeschwindigkeits-Peripherieschnittstellen mit Quad-I/O für beschleunigte Lese-/Schreibvorgänge
- Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 125 °C (TA), ideal für raue Umgebungen
- Breiter Spannungsbereich: Die Versorgungsspannung von 2,7 V bis 3,6 V gewährleistet Kompatibilität mit verschiedenen Systemdesigns.
- Kompaktes SMD-Gehäuse: 8-USON (3x2mm) mit freiliegendem Pad für hervorragende Wärmeleistung und platzsparende Leiterplattenlayouts
- NOR-Flash-Technologie: Die Single-Level-Cell-Architektur (SLC) bietet überragende Zuverlässigkeit und Lebensdauer.
- Original GigaDevice-Produkt: Direkt von autorisierten Händlern bezogen mit vollständiger Rückverfolgbarkeit und Qualitätssicherung.
Typische Anwendungen
Diese vielseitige Flash-Speicherkomponente findet breite Anwendung in der Automobilelektronik, in industriellen Automatisierungssystemen, in medizinischen Geräten, Telekommunikationsgeräten, Unterhaltungselektronik, intelligenten Zählern und eingebetteten Computerplattformen, wo zuverlässiger, nichtflüchtiger Speicher unerlässlich ist.
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Produktserie | GD25B |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Speichergröße | 32 Mbit |
| Speicherorganisation | 4 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI - Quad I/O |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannungsversorgung | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 125 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-XFDFN Freiliegendes Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-USON (3x2) |
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