GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25B512MEBIRY
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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GD25B512MEBIRY - 512-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher
Der GigaDevice GD25B512MEBIRY ist ein leistungsstarker 512-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher der GD25B-Serie, der für unternehmenskritische Anwendungen mit höchsten Anforderungen an Zuverlässigkeit und lange Lebensdauer entwickelt wurde. Dieser nichtflüchtige Flash-Speicher verfügt über fortschrittliche Quad-I/O-, QPI- und DTR-Schnittstellen mit einer Taktfrequenz von 133 MHz und bietet so schnelle Lese- und Schreibgeschwindigkeiten für anspruchsvolle Embedded-Systeme.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Speicher mit hoher Dichte: Die 512-Mbit-Speicherorganisation (64M x 8) bietet ausreichend Kapazität für Firmware, Datenprotokollierung und Code-Speicherung.
- Hohe Leistung: 133 MHz Taktfrequenz mit SPI Quad I/O, QPI- und DTR-Unterstützung gewährleisten schnellen Datenzugriff
- Breiter Betriebsbereich: Temperaturbereich von -40 °C bis 85 °C und Versorgungsspannung von 2,7 V bis 3,6 V für raue Umgebungen
- Zuverlässige NOR-Flash-Technologie: Die SLC-Architektur (Single-Level Cell) bietet überragende Ausdauer und Datenspeicherung.
- Kompaktes SMD-Gehäuse: Die 24-TFBGA-Bauform (6 x 8 mm) optimiert den Platzbedarf auf der Leiterplatte bei beengten Platzverhältnissen.
- RoHS/REACH-konform: Erfüllt Umwelt- und Regulierungsstandards für globale Märkte
Ideale Anwendungsbereiche
Ideal für die Avionik in der Luft- und Raumfahrt, Steuergeräte in der Automobilindustrie, industrielle Steuerungen, medizinische Geräte, Telekommunikationsausrüstung und alle Anwendungen, die langfristige Verfügbarkeit und vollständige Rückverfolgbarkeit erfordern.
Vollständige technische Spezifikationen
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Produktserie | GD25B |
| Verpackung | Tablett | |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Speichergröße | 512 Mbit |
| Speicherorganisation | 64 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI – Quad I/O, QPI, DTR |
| Taktfrequenz | 133 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannungsversorgung | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 24-TBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 24-TFBGA (6x8) |

GD25B512MEBIRY.pdf