GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25B512MEBJRY
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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GD25B512MEBJRY - 512-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher
Der GD25B512MEBJRY von GigaDevice Semiconductor ist ein leistungsstarker 512-Mbit-NOR-Flash-Speicher-IC, der für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Telekommunikation und der Medizintechnik entwickelt wurde. Diese zuverlässige, nichtflüchtige Speicherlösung verfügt über eine Quad-I/O-SPI-Schnittstelle mit DTR-Unterstützung und arbeitet mit Geschwindigkeiten von bis zu 133 MHz.
Hauptmerkmale
- Hohe Kapazität: 512 Mbit (64M x 8) Speicherorganisation
- Hohe Leistung: 133 MHz Taktfrequenz mit Quad-I/O-, QPI- und DTR-Unterstützung
- Breiter Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis 105 °C, Versorgungsspannung 2,7 V bis 3,6 V
- Kompaktes Gehäuse: 24-TFBGA (6x8mm) SMD-Gehäuse
- Industriequalität: SLC-NAND-Technologie für erhöhte Zuverlässigkeit und Langlebigkeit
Anwendungen
Ideal für eingebettete Systeme, IoT-Geräte, Automobilelektronik, industrielle Steuerungssysteme, medizinische Geräte und Telekommunikationsinfrastrukturen, die einen zuverlässigen, langlebigen, nichtflüchtigen Speicher benötigen.
Vollständige technische Spezifikationen
Warum sollten Sie sich für unsere GigaDevice-Produkte entscheiden?
Als autorisierter Distributor bieten wir Originalkomponenten von GigaDevice mit vollständiger Rückverfolgbarkeit, umfassendem technischem Support und langfristiger Produktlebenszyklusgarantie. Zu unseren Mehrwertleistungen gehören Design-In-Ressourcen, weltweiter Versand und dedizierter Support für Anwendungen in den Bereichen Luft- und Raumfahrt, Automobilindustrie, Industrie, Telekommunikation und Medizintechnik.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Produktserie | GD25B |
| Verpackung | Tablett | Tablett |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Speichergröße | 512 Mbit |
| Speicherorganisation | 64 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI – Quad I/O, QPI, DTR |
| Taktfrequenz | 133 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannungsversorgung | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 24-TBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 24-TFBGA (6x8) |

GD25B512MEBJRY.pdf