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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25B512MEFIRR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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GD25B512MEFIRR - 512-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher
Der GD25B512MEFIRR von GigaDevice Semiconductor ist ein leistungsstarker 512-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher, der für anspruchsvolle Industrie- und Embedded-Anwendungen entwickelt wurde. Ausgestattet mit Quad-I/O-, QPI- und DTR-Schnittstellen sowie einer Taktfrequenz von 133 MHz bietet dieser nichtflüchtige Flash-Speicher zuverlässige Datenspeicherung und hohe Lese-/Schreibgeschwindigkeit über einen weiten Temperaturbereich.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Speicherdichte: 512 Mbit (64 M x 8) Speicherkapazität für komplexe Firmware und Datenprotokollierung
- Hohe Leistungsfähigkeit: 133 MHz Taktfrequenz mit SPI Quad I/O, QPI- und DTR-Unterstützung
- Breiter Spannungsbereich: Betrieb von 2,7 V bis 3,6 V für flexible Systemintegration
- Industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 85 °C für zuverlässige Leistung unter rauen Umgebungsbedingungen
- Platzsparend: 16-SOIC-Oberflächenmontagegehäuse (7,50 mm Breite)
- Langfristiger Support: GigaDevice verpflichtet sich zu verlängerter Produktverfügbarkeit
Typische Anwendungen
Ideal für Automobilsysteme, industrielle Steuerungen, IoT-Geräte, medizinische Geräte, Telekommunikationsinfrastruktur und Unterhaltungselektronik, die einen zuverlässigen, nichtflüchtigen Speicher mit schnellem Zugriff über eine serielle Schnittstelle benötigen.
Vollständige technische Spezifikationen
Alle Spezifikationen werden vom Hersteller garantiert. Vollständiges Datenblatt und Produktlebenszyklusgarantie auf Anfrage erhältlich.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Produktserie | GD25B |
| Verpackung | Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR) |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Speichergröße | 512 Mbit |
| Speicherorganisation | 64 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI – Quad I/O, QPI, DTR |
| Taktfrequenz | 133 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannungsversorgung | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 16-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) |
| Gerätepaket des Lieferanten | 16-SOP |
GD25B512MEFIRR.pdf