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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25B512MEYIGY

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GD25B512MEYIGY – Hochzuverlässiger 512-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher

Der GigaDevice GD25B512MEYIGY ist eine leistungsstarke und hochzuverlässige 512-Mbit (64 MB) Serial Peripheral Interface (SPI) NOR-Flash-Speicherkomponente, die für unternehmenskritische Anwendungen in den Bereichen Luft- und Raumfahrt, Automobilindustrie, Industrie, Medizin und Telekommunikation entwickelt wurde.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Leistungsfähigkeit: 133 MHz Taktfrequenz mit Quad-I/O-, QPI- und DTR-Unterstützung für schnellen Datenzugriff
  • Großzügige Kapazität: Die 512-Mbit-Speicherorganisation (64M x 8) bietet ausreichend Speicherplatz für Firmware, Konfigurationsdaten und Codeausführung.
  • Breiter Betriebsbereich: Der Temperaturbereich von -40 °C bis 85 °C gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb auch in rauen Industrieumgebungen.
  • Flexible Stromversorgung: Der Spannungsbereich von 2,7 V bis 3,6 V eignet sich für diverse Systemarchitekturen.
  • Platzsparendes Gehäuse: Kompaktes 8-WSON (6x8 mm) SMD-Gehäuse mit freiliegendem Pad für verbesserte Wärmeleistung
  • Erweiterte Schnittstelle: SPI mit Quad-I/O-, QPI- und DTR-Modi ermöglicht flexible Integration und Datenübertragung mit hoher Bandbreite.

Ideale Anwendungsbereiche

Dieser NOR-Flash-Speicher eignet sich perfekt für:

  • Avionik und Flugsteuerungssysteme für die Luft- und Raumfahrt
  • Motorsteuergeräte, Fahrerassistenzsysteme und Infotainment-Plattformen für Fahrzeuge
  • Industrielle Automatisierungs- und Steuerungstechnik
  • Medizinische Diagnose- und Überwachungsgeräte
  • Telekommunikationsinfrastruktur und Basisstationen
  • Hochzuverlässige eingebettete Systeme, die eine lange Lebensdauer erfordern

Warum GigaDevice GD25B512MEYIGY wählen?

Als autorisierter Distributor garantieren wir 100 % authentische Komponenten mit vollständiger Rückverfolgbarkeit, RoHS/REACH-Konformität und langer Verfügbarkeit. Jede Einheit wird mit vollständiger Dokumentation und Qualitätszertifizierungen geliefert, um Ihre kritischen Designanforderungen zu erfüllen.

Vollständige technische Spezifikationen

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Produktserie GD25B
Verpackung Tablett |
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat BLITZ
Technologie FLASH - NOR (SLC)
Speichergröße 512 Mbit
Speicherorganisation 64 m x 8
Speicherschnittstelle SPI – Quad I/O, QPI, DTR
Taktfrequenz 133 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit -
Spannungsversorgung 2,7 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 8-WDFN Freiliegendes Pad
Gerätepaket des Lieferanten 8-WSON (6x8)

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