GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25B512MEYJGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €4,95 EUR | €4,95 EUR |
| 15+ | €4,55 EUR | €68,25 EUR |
| 25+ | €4,46 EUR | €111,50 EUR |
| 50+ | €4,21 EUR | €210,50 EUR |
| 100+ | €3,71 EUR | €371,00 EUR |
| N+ | €0,74 EUR | Price Inquiry |
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GD25B512MEYJGR - Hochleistungsfähiger 512-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher
Der GD25B512MEYJGR von GigaDevice Semiconductor ist ein hochzuverlässiger 512-Mbit-NOR-Flash-Speicher (64 MB) für anspruchsvolle Anwendungen in Industrie, Automobilbranche, Telekommunikation und Medizintechnik. Ausgestattet mit fortschrittlichen Quad-I/O- und QPI-Schnittstellen mit DTR-Unterstützung bietet dieses Bauteil herausragende Leistung bei Taktfrequenzen von bis zu 133 MHz.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Speicher mit hoher Dichte: 512 Mbit Kapazität, organisiert als 64M x 8
- Hohe Leistung: 133 MHz Taktfrequenz mit Quad-I/O-, QPI- und DTR-Unterstützung
- Breiter Betriebsbereich: Temperaturbereich von -40 °C bis 105 °C für industrielle Anwendungen
- Flexible Stromversorgung: Betrieb mit 2,7 V bis 3,6 V für vielseitige Systemintegration
- Kompakte Bauform: Platzsparendes 8-WSON (6x8mm) SMD-Gehäuse
- Langfristiger Support über den gesamten Lebenszyklus: Unterstützt durch autorisierten Vertrieb und Rückverfolgbarkeit
Technische Spezifikationen
Anwendungen
- Luft- und Raumfahrtsysteme
- Automobilelektronik
- Industrielle Steuerung und Automatisierung
- Telekommunikationsinfrastruktur
- Medizinprodukte
- IoT & Eingebettete Systeme
Warum diese Komponente wählen?
Als autorisierter Distributor bieten wir Originalkomponenten von GigaDevice mit vollständiger Rückverfolgbarkeit, umfassendem technischem Support und langfristigen Verfügbarkeitsgarantien. Jedes Gerät stammt direkt vom Hersteller und verfügt über vollständige Dokumentation und Qualitätszertifizierungen.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Produktserie | GD25B |
| Verpackung | Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR) |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Speichergröße | 512 Mbit |
| Speicherorganisation | 64 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI – Quad I/O, QPI, DTR |
| Taktfrequenz | 133 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannungsversorgung | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-WDFN Freiliegendes Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-WSON (6x8) |

GD25B512MEYJGR.pdf