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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25F128FWIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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GD25F128FWIGR – Hochleistungsfähiger 128-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher
Der GD25F128FWIGR von GigaDevice Semiconductor ist ein hochwertiger 128-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicherchip (16 MB), der für anspruchsvolle Embedded-, Industrie- und Automobilanwendungen entwickelt wurde. Mit seiner fortschrittlichen Quad-I/O-SPI-Schnittstelle und einer Taktfrequenz von 200 MHz bietet diese Speicherlösung eine herausragende Lese-/Schreibleistung für datenintensive Anwendungen.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Übertragungsgeschwindigkeit: Die Taktfrequenz von 200 MHz in Verbindung mit der SPI-Quad-I/O-Schnittstelle gewährleistet schnellen Datenzugriff und -transfer.
- Großzügige Kapazität: Die 128-Mbit-Speicherorganisation (16M x 8) bietet ausreichend Speicherplatz für Firmware, Datenprotokollierung und Konfiguration.
- Breiter Betriebsbereich: Versorgungsspannung 2,7 V bis 3,6 V mit einem Temperaturbereich von -40 °C bis 85 °C für raue Umgebungen
- Kompakte Bauform: Platzsparendes 8-WSON-Gehäuse (5x6 mm) mit freiliegendem Pad für überlegene Wärmeleistung
- Zuverlässigkeit in Industriequalität: Die NOR-Flash-SLC-Technologie gewährleistet langfristige Datenspeicherung und hohe Belastbarkeit.
- Einfache Integration: Standard-SPI-Schnittstelle, kompatibel mit den meisten Mikrocontrollern und Prozessoren.
Ideale Anwendungsbereiche
Ideal für IoT-Geräte, Kfz-Steuergeräte, industrielle Steuerungen, medizinische Geräte, intelligente Zähler, Netzwerkinfrastruktur und alle eingebetteten Systeme, die einen zuverlässigen, nichtflüchtigen Speicher benötigen.
Vollständige technische Spezifikationen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Produktserie | GD25F |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Speichergröße | 128 Mbit |
| Speicherorganisation | 16 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI - Quad I/O |
| Taktfrequenz | 200 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannungsversorgung | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-WDFN Freiliegendes Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-WSON (5x6) |
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