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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25F128FYAGY

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GD25F128FYAGY – Hochleistungsfähiger 128-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher-IC

Der GD25F128FYAGY von GigaDevice Semiconductor ist ein hochwertiger 128-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher-IC (16M x 8), der speziell für anspruchsvolle Embedded- und Industrieanwendungen entwickelt wurde. Dieser Hochleistungs-Flash-Speicher bietet außergewöhnliche Zuverlässigkeit dank Quad-I/O-SPI-Schnittstelle und 200-MHz-Taktfrequenz und eignet sich daher ideal für Code-Speicherung, Datenprotokollierung, Firmware-Updates und Boot-Anwendungen in der Automobilindustrie, der industriellen Steuerungstechnik, IoT-Geräten und Unterhaltungselektronik.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Leistungsfähigkeit: Die Taktfrequenz von 200 MHz mit SPI Quad I/O-Schnittstelle gewährleistet schnelle Datenzugriffs- und Übertragungsraten.
  • Großzügige Speicherkapazität: 128 Mbit (16 MB) Speicherkapazität bieten ausreichend Platz für Firmware, Konfigurationsdaten und Anwendungscode.
  • Breiter Betriebsbereich: Temperaturbereich von -40 °C bis 125 °C und Versorgungsspannung von 2,7 V bis 3,6 V für raue Industrieumgebungen
  • Kompakte Bauform: Platzsparendes 8-WSON (6x8 mm) SMD-Gehäuse mit freiliegendem Pad für verbesserte Wärmeleistung
  • SLC-NAND-Technologie: Die Single-Level Cell (SLC) NOR-Flash-Architektur bietet überlegene Ausdauer und Datenspeicherung.
  • Authentische Qualität: 100 % Original-GigaDevice-Komponenten mit langer Verfügbarkeit und dediziertem technischen Support

Typische Anwendungen

Dieser vielseitige NOR-Flash-Speicher-IC eignet sich ideal für eingebettete Systeme, die einen zuverlässigen, nichtflüchtigen Speicher benötigen, darunter industrielle Automatisierungssteuerungen, Steuergeräte in der Automobilindustrie, medizinische Geräte, Netzwerkgeräte, intelligente Zähler, Set-Top-Boxen und IoT-Edge-Geräte. Dank des breiten Temperaturbereichs und der robusten Bauweise ist er eine ausgezeichnete Wahl für unternehmenskritische Anwendungen.

Vollständige technische Spezifikationen

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Produktserie GD25F
Verpackung Tablett |
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat BLITZ
Technologie FLASH - NOR (SLC)
Speichergröße 128 Mbit
Speicherorganisation 16 m x 8
Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O
Taktfrequenz 200 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit -
Spannungsversorgung 2,7 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 125 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 8-WDFN Freiliegendes Pad
Gerätepaket des Lieferanten 8-WSON (6x8)

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