GD25LB128EWIGR

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GD25LB128EWIGR - Hochleistungsfähiger 128-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher

Der GD25LB128EWIGR von GigaDevice Semiconductor ist ein hochwertiger 128-Mbit-NOR-Flash-Speicher-IC (16M x 8), der für anspruchsvolle Embedded-, Industrie-, Automobil- und IoT-Anwendungen entwickelt wurde. Dieser hochzuverlässige Flash-Speicher verfügt über fortschrittliche SPI-Quad-I/O- und QPI-Schnittstellen mit DTR-Unterstützung und bietet herausragende Leistung bei Taktfrequenzen von bis zu 133 MHz.

Hauptmerkmale und Vorteile

Hohe Leistungsfähigkeit: 133 MHz Taktfrequenz mit Quad-I/O- und QPI-Unterstützung für schnellen Datenzugriff
Flexible Schnittstelle: SPI-, Quad-I/O-, QPI- und DTR-Modi für vielseitige Systemintegration
Breiter Spannungsbereich: Betrieb von 1,65 V bis 2 V für Anwendungen mit geringem Stromverbrauch
Industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 85 °C (TA) für raue Umgebungen
Kompaktes Gehäuse: 8-WDFN-Oberflächenanschlusspads / 8-WSON (5x6)-Oberflächenmontagegehäuse
RoHS-konform: Umweltfreundlich und erfüllt globale Standards.

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Der GD25LB128EWIGR ist ideal für:

Eingebettete Systeme und Firmware-Speicher
Industrielle Steuerung und Automatisierung
Automobilelektronik und Infotainment
IoT-Geräte und intelligente Sensoren
Datenprotokollierung und Konfigurationsspeicherung
BIOS- und Bootcode-Anwendungen

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Produkteigenschaften	Immobilienwert
Hersteller	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Produktserie	GD25LB
Verpackung	Tonband & Spule (TR) \|
Speichertyp	Nicht flüchtig
Speicherformat	BLITZ
Technologie	FLASH - NOR (SLC)
Speichergröße	128 Mbit
Speicherorganisation	16 m x 8
Speicherschnittstelle	SPI – Quad I/O, QPI, DTR
Taktfrequenz	133 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite	-
Zugriffszeit	-
Spannungsversorgung	1,65 V ~ 2 V
Betriebstemperatur	-40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad	-
Qualifikation	-
Montageart	Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse	8-WDFN Freiliegendes Pad
Gerätepaket des Lieferanten	8-WSON (5x6)
RoHS