GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LB256EBARY
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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GD25LB256EBARY – Hochleistungsfähiger 256-Mbit-Quad-SPI-NOR-Flash-Speicher
Der GD25LB256EBARY von GigaDevice Semiconductor ist ein hochzuverlässiger 256-Mbit-NOR-Flash-Speicher-IC (32M x 8), der für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der industriellen Steuerungstechnik, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Diese fortschrittliche Flash-Speicherlösung bietet außergewöhnliche Leistung dank Quad-SPI-Schnittstelle, DTR-Funktionalität (Double Transfer Rate) und QPI-Modus für maximalen Datendurchsatz.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hochdichter Speicher: 256 Mbit Kapazität, organisiert als 32M x 8, bietet ausreichend nichtflüchtigen Speicher für Firmware, Konfigurationsdaten und Anwendungscode.
- Hohe Leistungsfähigkeit: Die Taktfrequenz von 133 MHz bei einer Zugriffszeit von 6 ns gewährleistet einen schnellen Datenabruf und eine hohe Systemreaktionsfähigkeit.
- Flexible Schnittstelle: Quad-SPI mit DTR- und QPI-Modi maximiert die Bandbreite bei gleichzeitiger Beibehaltung der Pin-Effizienz.
- Breiter Betriebsbereich: Versorgungsspannung 1,65 V bis 2 V mit einem Temperaturbereich von -40 °C bis 125 °C für raue Umgebungen
- Kompakte Bauform: 24-TBGA (6x8 mm) SMD-Gehäuse, optimiert für platzsparende Designs
- Zuverlässige Schreibleistung: 140 µs Wortschreibzeit, 3 ms Seitenschreibzeit für effiziente Programmierung
Anwendungen
Ideal für eingebettete Systeme, die nichtflüchtigen Code und Datenspeicher benötigen: Kfz-Steuergeräte, industrielle SPSen, medizinische Instrumente, Luft- und Raumfahrt-Avionik, Telekommunikationsinfrastruktur, IoT-Edge-Geräte und FPGA-Konfigurationsspeicher.
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Technische Spezifikationen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Produktserie | GD25LB |
| Verpackung | Tablett | |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Speichergröße | 256 Mbit |
| Speicherorganisation | 32 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI – Quad I/O, QPI, DTR |
| Taktfrequenz | 133 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 140µs, 3ms |
| Zugriffszeit | 6 ns |
| Spannungsversorgung | 1,65 V ~ 2 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 125 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 24-TBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 24-TFBGA (6x8) |
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