GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LB256EYIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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GD25LB256EYIGR - Hochleistungsfähiger 256-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher
Der GD25LB256EYIGR von GigaDevice Semiconductor ist ein hochwertiger 256-Mbit-NOR-Flash-Speicher-IC (32 MB), der für anspruchsvolle Embedded- und Industrieanwendungen entwickelt wurde. Diese Hochleistungsspeicherlösung bietet außergewöhnliche Zuverlässigkeit und Geschwindigkeit für Systemdesigns, die nichtflüchtige Datenspeicherung erfordern.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Große Speicherkapazität: Die 256-Mbit-Organisation (32M x 8) bietet ausreichend Speicherplatz für Firmware, Konfigurationsdaten und Anwendungscode.
- Hochgeschwindigkeitsschnittstelle: SPI Quad I/O, QPI- und DTR-Unterstützung mit 166 MHz Taktfrequenz ermöglichen schnellen Datenzugriff und -transfer.
- Ultraschneller Zugriff: Eine Zugriffszeit von 6 ns gewährleistet minimale Latenzzeiten für zeitkritische Vorgänge.
- Betrieb mit niedrigem Stromverbrauch: Der Versorgungsspannungsbereich von 1,65 V bis 2 V optimiert die Energieeffizienz in batteriebetriebenen und energiebewussten Designs.
- Industrieller Temperaturbereich: Der Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 85 °C gewährleistet zuverlässige Leistung auch unter rauen Umgebungsbedingungen.
- Kompaktes SMD-Gehäuse: 8-WSON (6x8mm) mit freiliegender Kontaktfläche ermöglicht effizientes Wärmemanagement und platzsparende Leiterplattenlayouts.
- Lange Verfügbarkeit über den gesamten Lebenszyklus: Unterstützt durch unser Engagement für eine verlängerte Produktverfügbarkeit für Produktionsumgebungen.
Ideale Anwendungsbereiche
Ideal für eingebettete Systeme, IoT-Geräte, industrielle Steuerungen, Automobilelektronik, Netzwerkgeräte und alle Anwendungen, die einen zuverlässigen, nichtflüchtigen Speicher mit schneller Lese-/Schreibleistung erfordern.
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Vollständige technische Spezifikationen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Produktserie | GD25LB |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Speichergröße | 256 Mbit |
| Speicherorganisation | 32 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI – Quad I/O, QPI, DTR |
| Taktfrequenz | 166 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 70µs, 1,2ms |
| Zugriffszeit | 6 ns |
| Spannungsversorgung | 1,65 V ~ 2 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-WDFN Freiliegendes Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-WSON (6x8) |

GD25LB256EYIGR.pdf