GD25LB32EWIGR

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GD25LB32EWIGR - Hochleistungsfähiger 32-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher

Der GD25LB32EWIGR von GigaDevice Semiconductor ist ein hochwertiger 32-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher-IC (4M x 8), der für Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeitsanforderungen entwickelt wurde. Dieses Originalbauteil verfügt über fortschrittliche Quad-I/O- und QPI-Schnittstellen und bietet herausragende Leistung bei Taktfrequenzen von bis zu 133 MHz.

Hauptmerkmale und Vorteile

Hohe Geschwindigkeit: 133 MHz Taktfrequenz mit 6 ns Zugriffszeit gewährleisten schnellen Datenabruf.
Betrieb mit niedrigem Stromverbrauch: Eine Versorgungsspannung von 1,65 V bis 2 V optimiert die Energieeffizienz batteriebetriebener Geräte.
Flexible Schnittstelle: SPI Quad I/O- und QPI-Unterstützung für vielseitige Systemintegration
Industrieller Temperaturbereich: Betrieb bei -40 °C bis 85 °C für anspruchsvolle Umgebungen
Kompakte Bauform: Das 8-WSON (5x6mm) SMD-Gehäuse spart wertvollen Platz auf der Platine.
Schnelle Schreibleistung: 60 µs Wortschreib- und 2,4 ms Seitenschreibzyklen

Ideale Anwendungsbereiche

Ideal für eingebettete Systeme, IoT-Geräte, Automobilelektronik, industrielle Steuerungen, Unterhaltungselektronik und Firmware-Speicheranwendungen, die einen zuverlässigen, nichtflüchtigen Speicher mit schnellen Lese-/Schreibfunktionen erfordern.

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Vollständige technische Spezifikationen

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Produkteigenschaften	Immobilienwert
Hersteller	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Produktserie	GD25LB
Verpackung	Tonband & Spule (TR) \|
Speichertyp	Nicht flüchtig
Speicherformat	BLITZ
Technologie	FLASH - NOR (SLC)
Speichergröße	32 Mbit
Speicherorganisation	4 m x 8
Speicherschnittstelle	SPI – Quad I/O, QPI
Taktfrequenz	133 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite	60µs, 2,4ms
Zugriffszeit	6 ns
Spannungsversorgung	1,65 V ~ 2 V
Betriebstemperatur	-40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad	-
Qualifikation	-
Montageart	Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse	8-WDFN Freiliegendes Pad
Gerätepaket des Lieferanten	8-WSON (5x6)
RoHS