GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LB512ME3IRR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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GD25LB512ME3IRR - Hochleistungsfähiger 512-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher
Der GD25LB512ME3IRR von GigaDevice Semiconductor ist ein hochzuverlässiger 512-Mbit-NOR-Flash-Speicher, der für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Telekommunikation und der Medizintechnik entwickelt wurde. Ausgestattet mit einer fortschrittlichen SPI-Quad-I/O-Schnittstelle mit DTR-Unterstützung und einer Taktfrequenz von 133 MHz bietet diese Komponente herausragende Leistung für eingebettete Systeme, die eine lange Lebensdauer und vollständige Rückverfolgbarkeit erfordern.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Dichte: 512 Mbit (64M x 8) Speicherorganisation
- Hohe Leistungsfähigkeit: 133 MHz Taktfrequenz mit Quad-I/O-, QPI- und DTR-Unterstützung
- Niedriger Stromverbrauch: 1,65 V bis 2 V Versorgungsspannung für energieeffizienten Betrieb
- Breiter Temperaturbereich: -40 °C bis 85 °C für industrietaugliche Zuverlässigkeit
- Kompakte Bauform: 84-WLCSP-Oberflächenmontage
- RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Dieser hochzuverlässige Flash-Speicher ist ideal für:
- Luft- und Raumfahrtsysteme sowie Verteidigungssysteme
- Automobilelektronik und ADAS
- Industrielle Automatisierung und Steuerung
- Telekommunikationsinfrastruktur
- Medizinische Geräte und Ausrüstung
- IoT und eingebettete Systeme
Qualität & Support
Als autorisierter Distributor bieten wir Originalkomponenten von GigaDevice mit vollständiger Rückverfolgbarkeit, langfristigem Support und umfassenden technischen Ressourcen. Alle Produkte werden weltweit mit vollständiger Dokumentation und Design-In-Unterstützung versendet.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Produktserie | GD25LB |
| Verpackung | Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR) |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Speichergröße | 512 Mbit |
| Speicherorganisation | 64 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI – Quad I/O, QPI, DTR |
| Taktfrequenz | 133 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannungsversorgung | 1,65 V ~ 2 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 84-XFBGA, WLCSP |
| Gerätepaket des Lieferanten | 84-WLCSP |
| RoHS |

GD25LB512ME3IRR.pdf