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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25LB512ME3IRR

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GD25LB512ME3IRR - Hochleistungsfähiger 512-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher

Der GD25LB512ME3IRR von GigaDevice Semiconductor ist ein hochzuverlässiger 512-Mbit-NOR-Flash-Speicher, der für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Telekommunikation und der Medizintechnik entwickelt wurde. Ausgestattet mit einer fortschrittlichen SPI-Quad-I/O-Schnittstelle mit DTR-Unterstützung und einer Taktfrequenz von 133 MHz bietet diese Komponente herausragende Leistung für eingebettete Systeme, die eine lange Lebensdauer und vollständige Rückverfolgbarkeit erfordern.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Dichte: 512 Mbit (64M x 8) Speicherorganisation
  • Hohe Leistungsfähigkeit: 133 MHz Taktfrequenz mit Quad-I/O-, QPI- und DTR-Unterstützung
  • Niedriger Stromverbrauch: 1,65 V bis 2 V Versorgungsspannung für energieeffizienten Betrieb
  • Breiter Temperaturbereich: -40 °C bis 85 °C für industrietaugliche Zuverlässigkeit
  • Kompakte Bauform: 84-WLCSP-Oberflächenmontage
  • RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Dieser hochzuverlässige Flash-Speicher ist ideal für:

  • Luft- und Raumfahrtsysteme sowie Verteidigungssysteme
  • Automobilelektronik und ADAS
  • Industrielle Automatisierung und Steuerung
  • Telekommunikationsinfrastruktur
  • Medizinische Geräte und Ausrüstung
  • IoT und eingebettete Systeme

Qualität & Support

Als autorisierter Distributor bieten wir Originalkomponenten von GigaDevice mit vollständiger Rückverfolgbarkeit, langfristigem Support und umfassenden technischen Ressourcen. Alle Produkte werden weltweit mit vollständiger Dokumentation und Design-In-Unterstützung versendet.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Produktserie GD25LB
Verpackung Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR)
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat BLITZ
Technologie FLASH - NOR (SLC)
Speichergröße 512 Mbit
Speicherorganisation 64 m x 8
Speicherschnittstelle SPI – Quad I/O, QPI, DTR
Taktfrequenz 133 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit -
Spannungsversorgung 1,65 V ~ 2 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 84-XFBGA, WLCSP
Gerätepaket des Lieferanten 84-WLCSP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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