GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LB512MEFIRR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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GD25LB512MEFIRR - Hochleistungsfähiger 512-Mbit-NOR-Flash-Speicher
Der GD25LB512MEFIRR von GigaDevice Semiconductor ist ein hochzuverlässiger 512-Mbit-NOR-Flash-Speicher, der für anspruchsvolle Anwendungen in Industrie, Automobilbranche und Telekommunikation entwickelt wurde. Ausgestattet mit einer fortschrittlichen SPI-Quad-I/O-Schnittstelle mit DTR-Unterstützung und einer Taktfrequenz von 133 MHz bietet diese Speicherkomponente herausragende Leistung in einem kompakten 16-SOIC-Gehäuse für die Oberflächenmontage.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Speicherdichte: Die 512-Mbit-Speicherorganisation (64M x 8) bietet ausreichend Speicherplatz für Firmware, Datenprotokollierung und Codeausführung.
- Schnelle Schnittstelle: SPI Quad I/O, QPI- und DTR-Unterstützung mit 133 MHz Taktfrequenz gewährleisten schnellen Datenzugriff und -transfer.
- Betrieb mit geringem Stromverbrauch: Der Versorgungsspannungsbereich von 1,65 V bis 2 V optimiert den Stromverbrauch für batteriebetriebene und energieeffiziente Designs.
- Industrieller Temperaturbereich: Der Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 85 °C macht es ideal für raue Umgebungen.
- Zuverlässige NOR-Technologie: Die SLC-Flash-Technologie bietet überragende Ausdauer und Datenspeicherung.
- Kompakte Bauform: Das 16-SOIC-Gehäuse (7,50 mm Breite) für die Oberflächenmontage spart wertvollen Platz auf der Leiterplatte.
Anwendungen
Ideal für eingebettete Systeme, IoT-Geräte, Automobilelektronik, industrielle Steuerungen, Telekommunikationsgeräte, medizinische Geräte und alle Anwendungen, die einen zuverlässigen, nichtflüchtigen Speicher mit langer Lebensdauer erfordern.
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Vollständige technische Spezifikationen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Produktserie | GD25LB |
| Verpackung | Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR) |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Speichergröße | 512 Mbit |
| Speicherorganisation | 64 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI – Quad I/O, QPI, DTR |
| Taktfrequenz | 133 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannungsversorgung | 1,65 V ~ 2 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 16-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) |
| Gerätepaket des Lieferanten | 16-SOP |

GD25LB512MEFIRR.pdf