GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LB512MEYIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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GD25LB512MEYIGR - 512-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher
Der GigaDevice GD25LB512MEYIGR ist ein leistungsstarker 512-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher (64M x 8) der GD25LB-Serie. Dieser nichtflüchtige Flash-Speicher wurde für hohe Zuverlässigkeit und Geschwindigkeit entwickelt und verfügt über Quad-I/O-, QPI- und DTR-Schnittstellen mit einer maximalen Taktfrequenz von 133 MHz. Damit eignet er sich ideal für anspruchsvolle Anwendungen in der Automobil-, Industrie-, Telekommunikations-, Medizin- und Unterhaltungselektronik.
Hauptmerkmale und Vorteile
- 512-Mbit-Speicher mit hoher Dichte: Die 64M x 8-Organisation bietet ausreichend Kapazität für Firmware-, Code-Shadowing- und Datenprotokollierungsanwendungen.
- Hohe Leistungsfähigkeit: Die Unterstützung von SPI Quad I/O, QPI und DTR-Schnittstellen mit einer Taktfrequenz von 133 MHz ermöglicht einen schnellen Datenzugriff und eine hohe Systemreaktionsfähigkeit.
- Betrieb mit geringem Stromverbrauch: Die Versorgungsspannung von 1,65 V bis 2 V reduziert den Stromverbrauch und ist ideal für batteriebetriebene und energieeffiziente Designs.
- Industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 85 °C (TA). Der Betrieb gewährleistet zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Automobil- und Industrieumgebungen.
- Kompakte Bauform: Das oberflächenmontierbare 8-WSON-Gehäuse (6x8) spart wertvollen Platz auf der Leiterplatte bei beengten Platzverhältnissen.
- Verbesserte Langlebigkeit: Die Single-Level Cell (SLC) NAND-Technologie bietet im Vergleich zu MLC-Alternativen eine höhere Zuverlässigkeit und längere Lebensdauer.
- Globale Konformität: RoHS/REACH-konform mit vollständiger Rückverfolgbarkeit für weltweiten Einsatz
Zielanwendungen
Der GD25LB512MEYIGR wurde speziell für unternehmenskritische Anwendungen entwickelt, die hohe Zuverlässigkeit und langfristige Unterstützung erfordern:
- Automobilindustrie: ECU-Firmware-Speicher, ADAS-Systeme, Infotainment, Instrumententafeln
- Industrie: SPS-Steuerungen, Fabrikautomation, Robotik, HMI-Systeme
- Telekommunikation: Netzwerkgeräte, Basisstationen, Router, Switches
- Medizin: Diagnosegeräte, Patientenüberwachungssysteme, medizinische Bildgebung
- IoT & Embedded Systems: Intelligente Sensoren, Edge-Computing-Geräte, Datenlogger, Firmware-Speicher
- Unterhaltungselektronik: Set-Top-Boxen, Smart-Home-Geräte, Wearables
Warum GigaDevice GD25LB512MEYIGR wählen?
GigaDevice Semiconductor ist ein weltweit führender Anbieter von Speicherlösungen mit langjähriger Erfahrung in der Automobil- und Industriebranche. Der GD25LB512MEYIGR kombiniert modernste SPI-NOR-Flash-Technologie mit strengen Qualitätsstandards und gewährleistet so:
- Langfristige Produktverfügbarkeit und Lebenszyklusunterstützung für mehr Sicherheit im Designprozess
- Vollständige technische Dokumentation und Anwendungshinweise vom Hersteller
- Vollständige Rückverfolgbarkeit der Lieferkette zur Qualitätssicherung und Einhaltung der Vorschriften
- Wettbewerbsfähige Preise ohne Kompromisse bei Leistung oder Zuverlässigkeit
Vollständige technische Spezifikationen
Bestellinformationen
Teilenummer: GD25LB512MEYIGR
Verpackung: Gurt & Rolle (TR)
Mindestbestellmenge: Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Informationen.
Lieferzeit: Die Lagerverfügbarkeit variiert – kontaktieren Sie uns für den aktuellen Lagerbestand.
Technische Ressourcen
Detaillierte technische Spezifikationen, Timing-Diagramme, Anwendungshinweise und Designrichtlinien finden Sie im offiziellen GigaDevice-Datenblatt und der technischen Dokumentation, die vom Hersteller erhältlich sind.
Alle Spezifikationen können ohne vorherige Ankündigung geändert werden. Bitte überprüfen Sie die aktuellen Spezifikationen beim Hersteller, bevor Sie Ihre Konstruktion abschließen.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Produktserie | GD25LB |
| Verpackung | Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR) |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Speichergröße | 512 Mbit |
| Speicherorganisation | 64 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI – Quad I/O, QPI, DTR |
| Taktfrequenz | 133 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannungsversorgung | 1,65 V ~ 2 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-WDFN Freiliegendes Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-WSON (6x8) |

GD25LB512MEYIGR.pdf