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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25LB512MEYIGY

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GigaDevice GD25LB512MEYIGY - Hochleistungsfähiger 512-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher

Der GD25LB512MEYIGY von GigaDevice Semiconductor ist ein hochdichter, leistungsstarker 512-Mbit-NOR-Flash-Speicher mit fortschrittlichen SPI-Quad-I/O-, QPI- und DTR-Schnittstellen. Dieser nichtflüchtige Flash-Speicher wurde für hohe Zuverlässigkeit und Geschwindigkeit entwickelt, arbeitet mit einer Taktfrequenz von bis zu 133 MHz und unterstützt einen breiten Spannungsbereich von 1,65 V bis 2 V. Dadurch eignet er sich ideal für energieempfindliche Embedded-Systeme, industrielle Automatisierung, Automobilelektronik, Telekommunikationsgeräte und IoT-Geräte.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Dichte: Die 512-Mbit-Speicherorganisation (64M x 8) bietet ausreichend Speicherplatz für Firmware, Datenprotokollierung und Codeausführung.
  • Hohe Leistung: 133 MHz Taktfrequenz mit Quad-I/O- und QPI-Unterstützung ermöglichen schnellen Datenzugriff und -transfer
  • Betrieb mit niedrigem Stromverbrauch: Die Versorgungsspannung von 1,65 V bis 2 V optimiert die Energieeffizienz für batteriebetriebene und tragbare Anwendungen.
  • Industrieller Temperaturbereich: Der Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 85 °C gewährleistet zuverlässige Leistung auch unter rauen Umgebungsbedingungen.
  • Kompakte Bauform: Das 8-WSON (6x8mm) SMD-Gehäuse spart wertvollen Platz auf der Leiterplatte.
  • SLC-NAND-Technologie: Die Single-Level-Cell-Architektur bietet überlegene Ausdauer und Datenspeicherung.

Typische Anwendungen

Dieser vielseitige NOR-Flash-Speicher eignet sich ideal für eingebettete Systeme, die einen zuverlässigen, nichtflüchtigen Speicher benötigen, darunter Industriesteuerungen, Steuergeräte in der Automobilindustrie, Netzwerkrouter, medizinische Geräte, intelligente Zähler und Unterhaltungselektronik. Der breite Betriebstemperaturbereich und die robuste Bauweise machen ihn zur optimalen Wahl für unternehmenskritische Anwendungen, die langfristige Zuverlässigkeit und Datenintegrität erfordern.

Vollständige technische Spezifikationen

Alle Spezifikationen werden von GigaDevice Semiconductor garantiert. Dieses Produkt ist RoHS-konform und verfügt über eine vollständige Rückverfolgbarkeitsdokumentation zur Qualitätssicherung.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Produktserie GD25LB
Verpackung Tablett | Tablett
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat BLITZ
Technologie FLASH - NOR (SLC)
Speichergröße 512 Mbit
Speicherorganisation 64 m x 8
Speicherschnittstelle SPI – Quad I/O, QPI, DTR
Taktfrequenz 133 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit -
Spannungsversorgung 1,65 V ~ 2 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 8-WDFN Freiliegendes Pad
Gerätepaket des Lieferanten 8-WSON (6x8)

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