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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25LE128E3IRR

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Der GD25LE128E3IRR ist ein leistungsstarker 128-Mbit-NOR-Flash-Speicher-IC von GigaDevice Semiconductor, der für anspruchsvolle eingebettete, industrielle und IoT-Anwendungen entwickelt wurde, die einen zuverlässigen nichtflüchtigen Speicher mit schnellen Lese-/Schreibfunktionen erfordern.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Leistungsfähigkeit: 133 MHz Taktfrequenz mit SPI Quad I/O und QPI-Schnittstellenunterstützung für schnellen Datenzugriff (6 ns Zugriffszeit)
  • Betrieb mit geringem Stromverbrauch: Extrem niedriger Versorgungsspannungsbereich (1,65 V ~ 2 V), ideal für batteriebetriebene und energieeffiziente Designs
  • Industrielle Zuverlässigkeit: Der erweiterte Betriebstemperaturbereich (-40 °C bis 85 °C) gewährleistet einen stabilen Betrieb auch unter rauen Umgebungsbedingungen.
  • Kompakte Bauform: Das 26-WLCSP-Oberflächenmontagegehäuse optimiert den Platzbedarf auf der Leiterplatte in Anwendungen mit begrenztem Platzangebot.
  • Flexible Speicherorganisation: 16M x 8 Architektur mit effizienten Seiten- und Wortschreibzyklen (60µs Wort, 2,4ms Seite)

Ideale Anwendungsbereiche

Ideal für Automobilsysteme, industrielle Steuerungen, medizinische Geräte, IoT Edge Computing, Firmware-Speicherung, Datenprotokollierung und Bootcode eingebetteter Systeme.

Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Produktserie GD25LE
Verpackung Tonband & Spule (TR) |
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat BLITZ
Technologie FLASH - NOR (SLC)
Speichergröße 128 Mbit
Speicherorganisation 16 m x 8
Speicherschnittstelle SPI – Quad I/O, QPI
Taktfrequenz 133 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 60µs, 2,4ms
Zugriffszeit 6 ns
Spannungsversorgung 1,65 V ~ 2 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 26-XFBGA, WLCSP
Gerätepaket des Lieferanten 26-WLCSP

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