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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LE128EWIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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GD25LE128EWIGR - Hochleistungsfähiger 128-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher
Der GD25LE128EWIGR ist ein hochwertiger 128-Megabit-SPI-NOR-Flash-Speicher-IC von GigaDevice Semiconductor. Entwickelt für eingebettete Systeme, industrielle Automatisierung, IoT-Geräte und Automobilanwendungen, bietet dieser hochzuverlässige Flash-Speicher außergewöhnliche Leistung mit Quad-I/O- und QPI-Schnittstellenunterstützung für maximalen Datendurchsatz.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Speicher mit hoher Dichte: 128 Mbit (16 MB) Kapazität mit 16M x 8 Speicherorganisation
- Hohe Leistungsfähigkeit: 133 MHz Taktfrequenz mit 6 ns Zugriffszeit für schnellen Datenabruf
- Niederspannungsbetrieb: 1,65 V bis 2 V Versorgungsspannung für energieeffiziente Ausführungen
- Erweiterte Schnittstelle: SPI Quad I/O und QPI-Unterstützung für serielle Hochgeschwindigkeitskommunikation
- Industrieller Temperaturbereich: Betriebstemperatur von -40 °C bis 85 °C für raue Umgebungen
- Kompakte Bauform: 8-WSON (5x6mm) SMD-Gehäuse mit freiliegendem Pad für überlegene Wärmeleistung
- Zuverlässige Schreibleistung: 60 µs Wortschreibzeit, 2,4 ms Seitenschreibzykluszeit
Ideale Anwendungsbereiche
Ideal für BIOS-Speicherung, Firmware-Updates, Datenprotokollierung, eingebettete Systeme, Automobilelektronik, industrielle Steuerungen, medizinische Geräte und IoT-Edge-Computing-Plattformen, die einen nichtflüchtigen Speicher mit langfristiger Datenspeicherung erfordern.
Technische Spezifikationen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Produktserie | GD25LE |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Speichergröße | 128 Mbit |
| Speicherorganisation | 16 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI – Quad I/O, QPI |
| Taktfrequenz | 133 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 60µs, 2,4ms |
| Zugriffszeit | 6 ns |
| Spannungsversorgung | 1,65 V ~ 2 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-WDFN Freiliegendes Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-WSON (5x6) |
GD25LE128EWIGR.pdf