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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25LE128EWJGR

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GD25LE128EWJGR - Hochleistungsfähiger 128-Mbit-NOR-Flash-Speicher

Der GD25LE128EWJGR von GigaDevice Semiconductor ist ein hochwertiger 128-Mbit-NOR-Flash-Speicher-IC (16 MB), der für anspruchsvolle Embedded-, Industrie-, Automobil- und IoT-Anwendungen entwickelt wurde. Diese hochzuverlässige Flash-Speicherkomponente bietet außergewöhnliche Leistung mit einer Taktfrequenz von 133 MHz und extrem niedrigem Stromverbrauch (Versorgungsspannung 1,65–2 V) und eignet sich daher ideal für batteriebetriebene Geräte und platzsparende Designs.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Leistungsfähigkeit: 133-MHz-SPI-Quad-I/O- und QPI-Schnittstelle für schnellen Datenzugriff (6 ns Zugriffszeit)
  • Erweiterter Temperaturbereich: Der industrielle Betrieb von -40 °C bis 105 °C gewährleistet Zuverlässigkeit in rauen Umgebungen.
  • Kompakte Bauform: Das 8-WSON (5x6mm) SMD-Gehäuse spart wertvollen Platz auf der Leiterplatte.
  • Energiesparendes Design: Die Versorgungsspannung von 1,65 V bis 2 V optimiert die Energieeffizienz für tragbare Anwendungen.
  • Flexible Speicherorganisation: 16M x 8 Architektur mit schnellen Seitenschreibzyklen (2,4 ms) und Wortschreibzyklen (60 µs)
  • Authentische Beschaffung: Komponenten direkt vom Hersteller mit vollständiger Rückverfolgbarkeit und Lebenszyklusunterstützung

Ideale Anwendungsbereiche

Dieser NOR-Flash-Speicher eignet sich perfekt für die Speicherung von Firmware, die Codeausführung, die Datenprotokollierung und die Konfigurationsspeicherung in mikrocontrollerbasierten Systemen, industriellen Steuerungen, Kfz-Steuergeräten, medizinischen Geräten und intelligenten IoT-Edge-Geräten.

Technische Spezifikationen

Warum sollten Sie sich für HQICKEY bei Ihren Speicherkomponenten entscheiden?

Wir bei HQICKEY sind spezialisiert auf authentische, hochwertige Halbleiterkomponenten mit garantierter Verfügbarkeit über den gesamten Lebenszyklus. Unser umfangreiches Speicherportfolio umfasst NOR-Flash-, NAND-Flash-, DRAM-, SRAM- und EEPROM-Lösungen führender Hersteller weltweit.

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Produktserie GD25LE
Verpackung Tonband & Spule (TR) |
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat BLITZ
Technologie FLASH - NOR (SLC)
Speichergröße 128 Mbit
Speicherorganisation 16 m x 8
Speicherschnittstelle SPI – Quad I/O, QPI
Taktfrequenz 133 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 60µs, 2,4ms
Zugriffszeit 6 ns
Spannungsversorgung 1,65 V ~ 2 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 105 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 8-WDFN Freiliegendes Pad
Gerätepaket des Lieferanten 8-WSON (5x6)

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