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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25LE128AUSLASS

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GD25LE128EXHEGR - Hochleistungsfähiger 128-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher

Der GD25LE128EXHEGR von GigaDevice Semiconductor ist ein hochwertiger 128-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher (16M x 8), der speziell für anspruchsvolle Embedded-, Industrie-, Automobil- und IoT-Anwendungen entwickelt wurde. Dieser hochzuverlässige Flash-Speicher bietet herausragende Leistung mit Unterstützung für Quad-I/O und QPI-Schnittstellen und arbeitet mit Geschwindigkeiten von bis zu 133 MHz.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hochdichter Speicher: 128 Mbit Kapazität, organisiert als 16M x 8, ideal für Firmware-Speicherung, Datenprotokollierung und Codeausführung
  • Ultraschnelle Leistung: 133 MHz Taktfrequenz mit 6 ns Zugriffszeit gewährleisten schnellen Datenabruf.
  • Erweiterte Schnittstelle: SPI Quad I/O- und QPI-Unterstützung für maximalen Durchsatz und Flexibilität
  • Niederspannungsbetrieb: Eine Versorgungsspannung von 1,65 V bis 2 V reduziert den Stromverbrauch bei batteriebetriebenen Geräten.
  • Erweiterter Temperaturbereich: Betrieb bei -40 °C bis 125 °C für raue Industrie- und Automobilumgebungen
  • Kompakte Bauform: Das 8-USON (3x3 mm) SMD-Gehäuse spart wertvollen Platz auf der Leiterplatte.
  • Schnelle Schreibleistung: 100 µs Wortschreibzeit, 4 ms Seitenschreibzykluszeit

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Der GD25LE128EXHEGR ist perfekt geeignet für:

  • Firmware-Speicher und Bootcode für eingebettete Systeme
  • Industrielle Steuerungssysteme und Automatisierungsanlagen
  • Fahrzeugelektronik (ADAS, Infotainment, Instrumententafeln)
  • IoT-Geräte und intelligente Sensoren
  • Medizinische Geräte und Instrumente
  • Telekommunikationsinfrastruktur
  • Unterhaltungselektronik, die einen zuverlässigen nichtflüchtigen Speicher benötigt

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Produktserie GD25LE
Verpackung Tonband & Spule (TR) |
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat BLITZ
Technologie FLASH - NOR (SLC)
Speichergröße 128 Mbit
Speicherorganisation 16 m x 8
Speicherschnittstelle SPI – Quad I/O, QPI
Taktfrequenz 133 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 100µs, 4ms
Zugriffszeit 6 ns
Spannungsversorgung 1,65 V ~ 2 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 125 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 8-XDFN Freiliegendes Pad
Gerätepaket des Lieferanten 8-FO-USON8 (3x3)

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