GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LE32E3IGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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GD25LE32E3IGR - Hochleistungsfähiger 32-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher
Der GD25LE32E3IGR von GigaDevice Semiconductor ist eine hochmoderne 32-Mbit-NOR-Flash-Speicherlösung, die speziell für anspruchsvolle Embedded-Anwendungen entwickelt wurde. Dieser fortschrittliche Speicher-IC verfügt über SPI-Quad-I/O- und QPI-Schnittstellen und bietet herausragende Leistung mit einer Taktfrequenz von 133 MHz bei gleichzeitig extrem niedrigem Stromverbrauch und einem Versorgungsspannungsbereich von 1,65 V bis 2 V.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Geschwindigkeit: 133 MHz Taktfrequenz mit 6 ns Zugriffszeit gewährleisten schnellen Datenabruf.
- Flexible Schnittstelle: SPI Quad I/O- und QPI-Unterstützung für vielseitige Systemintegration
- Energiesparendes Design: Betriebsspannung von 1,65 V bis 2 V, ideal für batteriebetriebene und energieeffiziente Anwendungen
- Breiter Temperaturbereich: Betrieb bei -40 °C bis 85 °C, geeignet für Industrie- und Automobilumgebungen
- Kompakte Bauform: Das 10-WLCSP-Gehäuse spart wertvollen Platz auf der Leiterplatte.
- Zuverlässiger Speicher: 4M x 8-Organisation mit einer Gesamtkapazität von 32 Mbit
Ideale Anwendungsbereiche
Ideal für IoT-Geräte, Wearables, industrielle Steuerungen, Automobilelektronik, Unterhaltungselektronik und eingebettete Systeme, die einen zuverlässigen, nichtflüchtigen Speicher mit schnellen Lese-/Schreibfunktionen benötigen.
Technische Spezifikationen
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Verwandte Produkte und Ressourcen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Produktserie | GD25LE |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Speichergröße | 32 Mbit |
| Speicherorganisation | 4 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI – Quad I/O, QPI |
| Taktfrequenz | 133 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 60µs, 2,4ms |
| Zugriffszeit | 6 ns |
| Spannungsversorgung | 1,65 V ~ 2 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 10-XFBGA, WLCSP |
| Gerätepaket des Lieferanten | 10-WLCSP |

GD25LE32E3IGR.pdf