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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LE32EEEGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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Der GD25LE32EEEGR ist ein leistungsstarker 32-Mbit-NOR-Flash-Speicher von GigaDevice Semiconductor, der speziell für anspruchsvolle Industrie- und Embedded-Anwendungen entwickelt wurde. Ausgestattet mit fortschrittlichen SPI- und Quad-I/O-Schnittstellen und einer Taktfrequenz von 133 MHz bietet dieser Flash-Speicher außergewöhnliche Lese- und Schreibleistung bei extrem niedrigem Stromverbrauch (1,65 V ~ 2 V). Das Bauteil arbeitet zuverlässig in einem erweiterten Temperaturbereich von -40 °C bis 125 °C und eignet sich daher ideal für Anwendungen in der Automobilindustrie, der industriellen Steuerungstechnik, IoT-Geräten und unternehmenskritischen Systemen, die nichtflüchtige Datenspeicherung erfordern.
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Produktserie | GD25LE |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Speichergröße | 32 Mbit |
| Speicherorganisation | 4 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI – Quad I/O, QPI |
| Taktfrequenz | 133 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 100µs, 4ms |
| Zugriffszeit | 6 ns |
| Spannungsversorgung | 1,65 V ~ 2 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 125 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-XFDFN Freiliegendes Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-USON (3x2) |
GD25LE32EEEGR.pdf