GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LE32ENIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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GD25LE32ENIGR – Hochleistungsfähiger 32-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher
Der GD25LE32ENIGR von GigaDevice Semiconductor ist ein hochwertiger 32-Mbit-NOR-Flash-Speicher-IC mit fortschrittlichen SPI-Quad-I/O- und QPI-Schnittstellen. Dieser Flash-Speicher wurde für hohe Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Anwendungen entwickelt und arbeitet mit Taktfrequenzen von bis zu 133 MHz und einem extrem niedrigen Versorgungsspannungsbereich von 1,65 V bis 2 V. Dadurch eignet er sich ideal für energieempfindliche Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der industriellen Steuerungstechnik und eingebetteten Systemen.
Mit einer 4M x 8 Speicherorganisation und einer Zugriffszeit von 6 ns bietet der GD25LE32ENIGR herausragende Lese- und Schreibleistung. Das kompakte 8-USON-Gehäuse (3 x 4 mm) mit freiliegendem Kontaktpad gewährleistet exzellentes Wärmemanagement und optimale Platzausnutzung. Dank des erweiterten Temperaturbereichs von -40 °C bis 85 °C arbeitet diese Komponente auch unter rauen Umgebungsbedingungen zuverlässig.
Technische Spezifikationen
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hochgeschwindigkeitsschnittstelle: SPI Quad I/O- und QPI-Unterstützung mit 133 MHz Taktfrequenz für schnelle Datenübertragung
- Geringer Stromverbrauch: Die Versorgungsspannung von 1,65 V bis 2 V optimiert die Energieeffizienz.
- Zuverlässige Leistung: 60 µs Wortschreibzyklus, 2,4 ms Seitenschreibzyklus und 6 ns Zugriffszeit
- Industriequalität: Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 85 °C für extreme Umgebungen
- Kompakte Bauform: Das 8-USON (3x4mm) SMD-Gehäuse spart wertvollen Platz auf der Leiterplatte.
- Authentische Komponenten: Bezogen von autorisierten GigaDevice-Distributoren mit vollständiger Rückverfolgbarkeit
Anwendungen
Der GD25LE32ENIGR eignet sich perfekt für die Speicherung eingebetteter Firmware, BIOS/UEFI-Code, Datenprotokollierungssysteme, IoT-Geräte, Automobilelektronik, industrielle Steuerungen und Unterhaltungselektronik, die nichtflüchtigen Speicher mit schnellen Zugriffszeiten und geringem Stromverbrauch erfordern.
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Produktserie | GD25LE |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Speichergröße | 32 Mbit |
| Speicherorganisation | 4 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI – Quad I/O, QPI |
| Taktfrequenz | 133 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 60µs, 2,4ms |
| Zugriffszeit | 6 ns |
| Spannungsversorgung | 1,65 V ~ 2 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-UDFN Freiliegendes Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-USON (3x4) |

GD25LE32ENIGR.pdf