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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25LQ128DY2GY

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GD25LQ128DY2GY – Hochleistungsfähiger 128-Mbit-NOR-Flash-Speicher-IC

Der GD25LQ128DY2GY von GigaDevice Semiconductor ist ein hochwertiger 128-Mbit-NOR-Flash-Speicher-IC, der speziell für eingebettete Systeme entwickelt wurde, die zuverlässigen, schnellen und nichtflüchtigen Speicher benötigen. Dieser SPI-Quad-I/O-Flash-Speicher bietet mit einer Taktfrequenz von 104 MHz und einer ultraschnellen Zugriffszeit von 6 ns herausragende Leistung und eignet sich daher ideal für industrielle Automatisierung, Automobilelektronik, IoT-Geräte und unternehmenskritische Anwendungen.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hochdichter Speicher: 128 Mbit Kapazität, organisiert als 16M x 8, bietet ausreichend Platz für Firmware, Konfigurationsdaten und Anwendungscode.
  • Erweiterte Schnittstelle: SPI Quad I/O- und QPI-Unterstützung ermöglichen einen schnelleren Datendurchsatz und eine effiziente Systemintegration.
  • Extrem schnelle Leistung: Die Taktfrequenz von 104 MHz bei einer Zugriffszeit von 6 ns gewährleistet kurze Startzeiten und einen reaktionsschnellen Systembetrieb.
  • Breiter Betriebsbereich: Temperaturbereich von -40 °C bis 105 °C mit einer Versorgungsspannung von 1,65 V bis 2 V für anspruchsvolle industrielle Umgebungen
  • Kompakte Bauform: 8-WSON (6x8mm) SMD-Gehäuse mit freiliegendem Pad für überlegene Wärmeleistung
  • Zuverlässige Technologie: Die SLC (Single-Level Cell) FLASH-NOR-Architektur gewährleistet eine lange Lebensdauer und Datenintegrität.

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Der GD25LQ128DY2GY eignet sich perfekt für:

  • Industrielle Steuerungssysteme und SPS
  • Infotainment- und Fahrerassistenzsysteme für Fahrzeuge
  • IoT-Edge-Geräte und intelligente Sensoren
  • Netzwerkinfrastrukturausrüstung
  • Medizinische Instrumente
  • Unterhaltungselektronik, die Firmware-Speicher benötigt

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Produktserie GD25LQ
Verpackung Tablett |
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat BLITZ
Technologie FLASH - NOR (SLC)
Speichergröße 128 Mbit
Speicherorganisation 16 m x 8
Speicherschnittstelle SPI – Quad I/O, QPI
Taktfrequenz 104 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 2,4 ms
Zugriffszeit 6 ns
Spannungsversorgung 1,65 V ~ 2 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 105 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 8-WDFN Freiliegendes Pad
Gerätepaket des Lieferanten 8-WSON (6x8)

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