GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ256DYIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €81.612,95 EUR | €81.612,95 EUR |
| 15+ | €75.083,91 EUR | €1.126.258,65 EUR |
| 25+ | €73.451,66 EUR | €1.836.291,50 EUR |
| 50+ | €69.371,01 EUR | €3.468.550,50 EUR |
| 100+ | €61.209,71 EUR | €6.120.971,00 EUR |
| N+ | €12.241,94 EUR | Price Inquiry |
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Produktübersicht
Der GD25LQ256DYIGR ist ein leistungsstarker 256-Mbit-NOR-Flash-Speicher von GigaDevice Semiconductor, der für anspruchsvolle Embedded-Anwendungen mit Bedarf an zuverlässigem, nichtflüchtigem Speicher entwickelt wurde. Diese fortschrittliche Flash-Speicherlösung bietet außergewöhnliche Leistung mit einer Taktfrequenz von 120 MHz und einer SPI-Quad-I/O-Schnittstelle und eignet sich daher ideal für die Codeausführung, Datenspeicherung und Firmware-Updates in Industrie-, Automobil-, Medizin- und Telekommunikationssystemen.
Wichtigste technische Merkmale
- Hochdichte Speicherung: 256 Mbit (32 MB) Kapazität mit 32M x 8 Organisation bietet ausreichend Platz für komplexe Firmware und Datenprotokollierungsanwendungen.
- Hohe Leistung: Die Taktfrequenz von 120 MHz ermöglicht schnellen Datenzugriff und Codeausführung für zeitkritische Anwendungen.
- Flexible Schnittstelle: Die SPI-Quad-I/O-Schnittstelle unterstützt mehrere Betriebsmodi für optimierte Leistung und Pin-Effizienz.
- Betrieb mit geringem Stromverbrauch: Der Versorgungsspannungsbereich von 1,65 V bis 2 V reduziert den Stromverbrauch in batteriebetriebenen und energieeffizienten Geräten.
- Industrieller Temperaturbereich: Der Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 85 °C gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb auch unter rauen Umgebungsbedingungen.
- Kompakte Bauform: Das oberflächenmontierbare 8-WSON-Gehäuse (6x8 mm) minimiert den Platzbedarf auf der Leiterplatte.
- RoHS-konform: Erfüllt die Umweltstandards für bleifreie Fertigung
Technische Vorteile
Die fortschrittliche NOR-Flash-Technologie von GigaDevice bietet höchste Zuverlässigkeit und Langlebigkeit für unternehmenskritische Anwendungen. Das Bauteil verfügt über Sektor- und Blocklöschfunktionen, Hardware-Schreibschutz und eine robuste Architektur für lange Lebensdauer. Die SPI-Quad-I/O-Schnittstelle ermöglicht flexible Datenübertragungsraten und erlaubt es Entwicklern, Leistung und Pin-Anzahl optimal auszubalancieren. Dank schneller Seitenprogrammierung (2,4 ms Schreibzykluszeit) und branchenüblicher Befehlssätze lässt sich der GD25LQ256DYIGR nahtlos in bestehende Designs integrieren und bietet gleichzeitig verbesserte Leistungsmerkmale.
Anwendungsgebiete
- Industrieautomation: SPS-Steuerungen, Motorantriebe, HMI-Systeme und industrielle IoT-Geräte
- Automobilelektronik: Fahrerassistenzsysteme, Infotainmentsysteme, Instrumententafeln und Karosseriesteuergeräte
- Medizinprodukte: Diagnosegeräte, Patientenüberwachungssysteme und tragbare medizinische Instrumente
- Telekommunikation: Netzwerkinfrastruktur, Basisstationen, Router und optische Übertragungstechnik
- Luft- und Raumfahrt & Verteidigung: Avionik, Leitsysteme und robuste Computerplattformen
- Unterhaltungselektronik: Set-Top-Boxen, Smart-Home-Geräte und eingebettete Systeme
Design-In-Unterstützung und Rückverfolgbarkeit
HQICKEY bietet vollständige Rückverfolgbarkeitsdokumentation inklusive Datumscodes, Chargennummern und Herkunftsland für alle Halbleiterkomponenten von GigaDevice. Unser technisches Team unterstützt Sie umfassend bei der Entwicklung, stellt Referenzdesigns und Applikationshinweise bereit, um Ihren Entwicklungszyklus zu beschleunigen. Alle Produkte stammen aus autorisierten Vertriebskanälen und verfügen über vollständige Herstellergarantie und Konformitätsdokumentation.
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Produktserie | |
| Verpackung | | |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | Blitz - NOR |
| Speichergröße | 256 Mbit |
| Speicherorganisation | 32 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI - Quad I/O |
| Taktfrequenz | 120 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 2,4 ms |
| Zugriffszeit | - |
| Spannungsversorgung | 1,65 V ~ 2 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-WDFN Freiliegendes Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-WSON (6x8) |
| RoHS |

GD25LQ256DYIGR.pdf