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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25LQ32EEAGR

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GD25LQ32EEAGR – Hochleistungsfähiger 32-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher

Der GD25LQ32EEAGR von GigaDevice Semiconductor bietet zuverlässigen, schnellen, nichtflüchtigen Speicher für eingebettete Systeme, industrielle Steuerungen und Anwendungen im Automobilbereich. Dieser 32-Mbit-NOR-Flash-Speicher verfügt über fortschrittliche SPI- und Quad-I/O-Schnittstellen und ermöglicht so einen hohen Datendurchsatz bei einer Taktfrequenz von bis zu 133 MHz bei gleichzeitig extrem niedrigem Stromverbrauch im Versorgungsspannungsbereich von 1,65 V bis 2 V.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Leistungsfähigkeit: 133 MHz Taktfrequenz mit Quad-I/O- und QPI-Unterstützung für schnellen Datenzugriff
  • Breiter Temperaturbereich: Der Betrieb bei -40 °C bis 125 °C gewährleistet Zuverlässigkeit in rauen Industrie- und Automobilumgebungen.
  • Energiesparendes Design: Die Versorgungsspannung von 1,65 V bis 2 V optimiert die Energieeffizienz für batteriebetriebene und tragbare Geräte.
  • Kompakte Bauform: Das 8-USON (3x2mm) SMD-Gehäuse spart wertvollen Platz auf der Leiterplatte.
  • Schnelle Schreibleistung: 100 µs Wortschreibzeit, 4 ms Seitenschreibzeit beschleunigen Programmiervorgänge
  • Flexible Organisation: 4M x 8 Speicherarchitektur mit 6 ns Zugriffszeit

Ideale Anwendungsbereiche

Diese NOR-Flash-Lösung eignet sich hervorragend für die Speicherung von Code, Firmware-Updates, Datenprotokollierung und Konfigurationen für Mikrocontroller, FPGAs und eingebettete Prozessoren in den Bereichen Luft- und Raumfahrt, Medizin, Telekommunikation und industrielle Automatisierung.

Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Produktserie GD25LQ
Verpackung Tonband & Spule (TR) |
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat BLITZ
Technologie FLASH - NOR (SLC)
Speichergröße 32 Mbit
Speicherorganisation 4 m x 8
Speicherschnittstelle SPI – Quad I/O, QPI
Taktfrequenz 133 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 100µs, 4ms
Zugriffszeit 6 ns
Spannungsversorgung 1,65 V ~ 2 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 125 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 8-XFDFN Freiliegendes Pad
Gerätepaket des Lieferanten 8-USON (3x2)

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