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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ32ENIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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GD25LQ32ENIGR – Hochleistungsfähiger 32-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher
Der GD25LQ32ENIGR von GigaDevice Semiconductor ist ein leistungsstarker 32-Mbit-NOR-Flash-Speicher, der speziell für eingebettete Systeme und industrielle Anwendungen entwickelt wurde. Dieser fortschrittliche Flash-Speicher verfügt über Quad-I/O-Schnittstellen (SPI und QPI) und bietet herausragende Lese-/Schreibleistung mit einer Taktfrequenz von 133 MHz und einer Zugriffszeit von 7 ns.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: 133 MHz Taktfrequenz mit Quad-I/O-SPI- und QPI-Unterstützung für schnelle Datenübertragung
- Optimale Speicherkonfiguration: 32 Mbit Kapazität, organisiert als 4M x 8 für flexibles Datenmanagement
- Betrieb mit geringem Stromverbrauch: Der Versorgungsspannungsbereich von 1,65 V bis 2 V ist ideal für batteriebetriebene und energieeffiziente Designs.
- Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 85 °C für anspruchsvolle Umgebungen
- Kompaktes SMD-Gehäuse: 8-USON (4x3 mm) Grundfläche spart wertvollen Platz auf der Leiterplatte.
- Schnelle Schreibleistung: 60 µs Wortschreib- und 2,4 ms Seitenschreibzyklen
- RoHS-konform: Umweltfreundlich und erfüllt globale regulatorische Standards.
Ideale Anwendungsbereiche
Ideal für eingebettete Systeme, IoT-Geräte, Automobilelektronik, industrielle Steuerungssysteme, Unterhaltungselektronik und alle Anwendungen, die einen zuverlässigen, nichtflüchtigen Speicher mit serieller Hochgeschwindigkeitsschnittstelle erfordern.
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Technische Spezifikationen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Produktserie | |
| Verpackung | Schneideband (CT) | Band und Rolle (TR) |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | Blitz - NOR |
| Speichergröße | 32 Mbit |
| Speicherorganisation | 4 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI – Quad I/O, QPI |
| Taktfrequenz | 133 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 60µs, 2,4ms |
| Zugriffszeit | 7 ns |
| Spannungsversorgung | 1,65 V ~ 2 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-UDFN Freiliegendes Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-USON (4x3) |
| RoHS |  |
GD25LQ32ENIGR.pdf