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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25LR256EWIGR

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GD25LR256EWIGR - Hochleistungsfähiger 256-Mbit-NOR-Flash-Speicher

Der GD25LR256EWIGR von GigaDevice Semiconductor bietet herausragende Leistung und Zuverlässigkeit für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation. Dieser 256-Mbit-NOR-Flash-Speicher verfügt über eine fortschrittliche SPI-Quad-I/O-Schnittstelle mit DTR-Unterstützung und ermöglicht so eine schnelle Datenübertragung mit einer Taktfrequenz von 104 MHz.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hochdichte Speicherung: 256 Mbit (32 MB) Kapazität mit 32M x 8 Organisation für effizientes Datenmanagement
  • Ultraschnelle Leistung: 104 MHz Taktfrequenz mit 9 ns Zugriffszeit gewährleisten schnellen Datenabruf.
  • Erweiterte Schnittstelle: SPI Quad I/O, QPI- und DTR-Modi für flexible Integration
  • Betrieb mit niedrigem Stromverbrauch: Eine Versorgungsspannung von 1,65 V bis 2 V optimiert die Energieeffizienz.
  • Industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 85 °C (TA) für zuverlässige Leistung unter rauen Umgebungsbedingungen
  • Kompakte Bauform: 8-WSON (5x6mm) SMD-Gehäuse mit freiliegendem Pad für überlegene Wärmeleistung
  • Schnelle Schreibzyklen: 70 µs Wort schreiben, 1,2 ms Seite schreiben für effiziente Programmierung

Anwendungen

Ideal für eingebettete Systeme, die nichtflüchtigen Speicher benötigen, darunter Steuergeräte in der Automobilindustrie, industrielle Steuerungen, medizinische Geräte, Telekommunikationsanlagen und Instrumente für die Luft- und Raumfahrt. Die robuste Bauweise des GD25LR256EWIGR gewährleistet Datenintegrität auch unter anspruchsvollen Bedingungen.

Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Produktserie GD25LR
Verpackung Tonband & Spule (TR) |
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat BLITZ
Technologie FLASH - NOR (SLC)
Speichergröße 256 Mbit
Speicherorganisation 32 m x 8
Speicherschnittstelle SPI – Quad I/O, QPI, DTR
Taktfrequenz 104 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 70µs, 1,2ms
Zugriffszeit 9 ns
Spannungsversorgung 1,65 V ~ 2 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 8-WDFN Freiliegendes Pad
Gerätepaket des Lieferanten 8-WSON (5x6)

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