GD25Q128EBJRY

GD25Q128EBJRY - Hochleistungsfähiger 128-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher

Der GD25Q128EBJRY von GigaDevice Semiconductor ist ein hochwertiger 128-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher, der speziell für anspruchsvolle Embedded-, Industrie-, Automobil- und IoT-Anwendungen entwickelt wurde. Diese hochzuverlässige Flash-Speicherkomponente bietet dank Quad-I/O-SPI-Schnittstelle und 133-MHz-Taktfrequenz herausragende Leistung und eignet sich daher ideal für Code-Speicherung, Datenprotokollierung und Firmware-Anwendungen.

Hauptmerkmale und Vorteile

• Hohe Leistungsfähigkeit: 133 MHz Taktfrequenz mit Quad-I/O-SPI-Schnittstelle für schnellen Datenzugriff
• Große Kapazität: 128 Mbit (16 MB) Speicher, organisiert als 16M x 8
• Breiter Betriebsbereich: Temperaturbereich von -40 °C bis 105 °C für industrietaugliche Zuverlässigkeit
• Niedriger Stromverbrauch: 2,7 V bis 3,6 V Versorgungsspannung für energieeffizienten Betrieb
• Schnelle Schreibleistung: 140 µs Wortschreibzeit, 4 ms Seitenschreibzykluszeit
• Kompaktes Gehäuse: 24-TFBGA (6x8 mm) SMD-Gehäuse für platzsparende Designs

Technische Spezifikationen

Anwendungen

• Speicherung von eingebetteten Systemen und Mikrocontroller-Code
• Industrielle Automatisierungs- und Steuerungssysteme
• Automobilelektronik und Infotainment
• IoT-Geräte und intelligente Sensoren
• Netzwerkausrüstung und Telekommunikation
• Unterhaltungselektronik und Wearables

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