GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q128EYJGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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GD25Q128EYJGR - Hochleistungsfähiger 128-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher
Der GD25Q128EYJGR von GigaDevice Semiconductor ist ein hochwertiger 128-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher (16M x 8), der speziell für anspruchsvolle Embedded-, Industrie-, Automobil- und IoT-Anwendungen entwickelt wurde. Mit seiner Quad-I/O-SPI-Schnittstelle, einer Taktfrequenz von 133 MHz und einer ultraschnellen Zugriffszeit von 7 ns bietet dieser Flash-Speicher herausragende Leistung für Code-Speicherung, Datenprotokollierung und Firmware-Updates.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Geschwindigkeit: Die Taktfrequenz von 133 MHz mit Quad-I/O-SPI-Schnittstelle gewährleistet eine schnelle Datenübertragung.
- Großzügige Kapazität: 128 Mbit (16 MB) Speicher, organisiert als 16M x 8 für flexibles Speichermanagement
- Breiter Betriebsbereich: 2,7 V bis 3,6 V Versorgungsspannung, -40 °C bis 105 °C Temperaturbereich für industrietaugliche Zuverlässigkeit
- Schnelle Schreibzyklen: 140 µs Wortschreibzeit, 4 ms Seitenschreibzeit für effiziente Programmierung
- Kompakte Bauform: Platzsparendes 8-WSON (6x8 mm) SMD-Gehäuse mit freiliegendem Pad für überlegene Wärmeleistung
- NOR-Flash-Architektur: Die Single-Level-Cell-Technologie (SLC) gewährleistet Datenintegrität und lange Lebensdauer.
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Ideal für eingebettete Systeme, industrielle Steuerungen, Automobilelektronik, IoT-Geräte, BIOS-Speicher, Firmware-Updates, Datenprotokollierung und Code-Shadowing-Anwendungen, die einen zuverlässigen nichtflüchtigen Speicher mit schneller Lese-/Schreibleistung erfordern.
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Produktserie | GD25Q |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Speichergröße | 128 Mbit |
| Speicherorganisation | 16 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI - Quad I/O |
| Taktfrequenz | 133 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 140 µs, 4 ms |
| Zugriffszeit | 7 ns |
| Spannungsversorgung | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-WDFN Freiliegendes Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-WSON (6x8) |
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