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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25R512MEYIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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GigaDevice GD25R512MEYIGR - Hochleistungsfähiger 512-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher
Der GD25R512MEYIGR von GigaDevice Semiconductor ist ein hochzuverlässiger 512-Mbit-NOR-Flash-Speicher (64M x 8), der für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Telekommunikation und der Medizintechnik entwickelt wurde. Diese fortschrittliche Speicherkomponente verfügt über eine Quad-SPI-Schnittstelle mit DTR-Unterstützung (Double Transfer Rate) und bietet herausragende Leistung bei Taktfrequenzen von bis zu 200 MHz.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: 200 MHz Taktfrequenz mit Quad-I/O und DTR-Unterstützung für schnellen Datenzugriff
- Große Kapazität: 512 Mbit/s Speicherdichte, organisiert als 64M x 8 für umfangreiche Datenspeicheranforderungen
- Breiter Betriebsbereich: Temperaturbereich von -40 °C bis 85 °C bei einer Versorgungsspannung von 2,7 V bis 3,6 V.
- Kompakte Bauform: Platzsparendes 8-WSON (6x8 mm) SMD-Gehäuse mit freiliegender Lötpad-Oberfläche
- Industrielle Zuverlässigkeit: SLC-NAND-Technologie gewährleistet lange Lebensdauer und Datenintegrität.
- Flexible Schnittstelle: SPI-kompatibel mit Quad-I/O für optimierten Durchsatz
Ideale Anwendungsbereiche
Ideal für eingebettete Systeme, die in unternehmenskritischen Umgebungen nichtflüchtigen Code-Speicher, Datenprotokollierung, Firmware-Updates und Konfigurationsspeicherung benötigen. Weltweit vertrauen Entwicklungsingenieure auf unsere bewährte Zuverlässigkeit und unseren umfassenden technischen Support.
Vollständige technische Spezifikationen
Autorisierter Distributor: Wir bieten Originalkomponenten von GigaDevice mit vollständiger Rückverfolgbarkeit, technischer Dokumentation und langfristigem Support. Kontaktieren Sie unser Design-In-Team für Muster, Referenzdesigns und Anwendungsunterstützung.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Produktserie | GD25R |
| Verpackung | Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR) |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Speichergröße | 512 Mbit |
| Speicherorganisation | 64 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI - Quad I/O, DTR |
| Taktfrequenz | 200 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannungsversorgung | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-WDFN Freiliegendes Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-WSON (6x8) |
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