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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25T512MEFIRR

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GD25T512MEFIRR – Hochleistungsfähiger 512-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher

Der GigaDevice GD25T512MEFIRR ist ein hochdichter, leistungsstarker NOR-Flash-Speicher, der für anspruchsvolle Anwendungen in Industrie, Automobil, Telekommunikation und Embedded-Systemen entwickelt wurde. Mit 512 Mbit (64 MB) nichtflüchtigem Speicher und einer fortschrittlichen Quad-I/O-SPI-Schnittstelle mit DTR-Unterstützung bietet dieser Speicher-IC eine außergewöhnliche Lese-/Schreibleistung mit Geschwindigkeiten von bis zu 200 MHz.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Speicher mit hoher Dichte: 512 Mbit Kapazität, organisiert als 64 M x 8, bietet ausreichend Platz für Firmware, Code und Datenprotokollierung.
  • Hohe Leistung: 200 MHz Taktfrequenz mit SPI Quad I/O und DTR-Unterstützung (Double Transfer Rate) für schnellen Datenzugriff
  • Breiter Betriebstemperaturbereich: Funktioniert zuverlässig von -40 °C bis 85 °C, ideal für Industrie- und Automobilumgebungen
  • Flexible Stromversorgung: Die Betriebsspannung von 2,7 V bis 3,6 V eignet sich für verschiedene Systemdesigns.
  • Industriestandard-Gehäuse: 16-SOIC-Oberflächenmontagegehäuse (7,50 mm Breite) für einfache Leiterplattenintegration
  • Zuverlässige NOR-Technologie: Die SLC-Flash-Technologie (Single-Level Cell) gewährleistet Datenintegrität und lange Lebensdauer.

Ideale Anwendungsbereiche

Diese Speicherlösung eignet sich perfekt für Kfz-Steuergeräte, industrielle Steuerungen, IoT-Geräte, Netzwerkgeräte, medizinische Geräte und alle eingebetteten Systeme, die einen zuverlässigen, schnellen, nichtflüchtigen Speicher mit erweitertem Temperaturbetrieb benötigen.

Vollständige technische Spezifikationen

Dank GigaDevices Ruf für Qualität und Zuverlässigkeit bietet der GD25T512MEFIRR umfassenden technischen Support und eine langfristige Verfügbarkeitsgarantie für Ihre kritischen Designs.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Produktserie GD25T
Verpackung Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR)
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat BLITZ
Technologie FLASH - NOR (SLC)
Speichergröße 512 Mbit
Speicherorganisation 64 m x 8
Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O, DTR
Taktfrequenz 200 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit -
Spannungsversorgung 2,7 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 16-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 16-SOP

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