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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25T512MEYIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €4,95 EUR | €4,95 EUR |
| 15+ | €4,55 EUR | €68,25 EUR |
| 25+ | €4,46 EUR | €111,50 EUR |
| 50+ | €4,21 EUR | €210,50 EUR |
| 100+ | €3,71 EUR | €371,00 EUR |
| N+ | €0,74 EUR | Price Inquiry |
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GD25T512MEYIGR - 512-Mbit-NOR-Flash-Speicher-IC
Der GigaDevice GD25T512MEYIGR ist ein leistungsstarker 512-Mbit-NOR-Flash-Speicher-IC mit fortschrittlicher SPI-Quad-I/O-Schnittstelle und DTR-Schnittstelle (Double Transfer Rate), der außergewöhnliche Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 200 MHz ermöglicht. Er wurde für anspruchsvolle Anwendungen in Industrie, Automobilbranche und Telekommunikation entwickelt, die zuverlässigen, nichtflüchtigen Speicher mit erweitertem Temperaturbereich erfordern.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Speicher mit hoher Dichte: 512 Mbit (64 MB) Kapazität mit 64M x 8 Organisation
- Hohe Leistungsfähigkeit: SPI-Quad-I/O-Schnittstelle mit DTR-Unterstützung, 200-MHz-Taktfrequenz
- Industriequalität: Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 85 °C für raue Umgebungen
- Kompaktes Gehäuse: Platzsparendes 8-WSON (6x8mm) SMD-Gehäuse
- Breiter Spannungsbereich: 2,7 V bis 3,6 V Versorgungsspannung für flexible Systemintegration
- Zuverlässige Technologie: NOR-Flash-SLC-Architektur für überragende Ausdauer und Datenspeicherung
Anwendungen
Ideal für die Speicherung von Code, Firmware-Updates, Datenprotokollierung und Bootcode in Luft- und Raumfahrtsystemen, Kfz-Steuergeräten, industriellen Steuerungen, Telekommunikationsinfrastruktur, IoT-Geräten und eingebetteten Systemen, die eine lange Lebensdauerunterstützung erfordern.
Autorisierter Händler
Wir liefern ausschließlich 100 % authentische GigaDevice-Komponenten mit vollständiger Herstellerdokumentation, Rückverfolgbarkeitszertifikaten und Garantieleistungen. Alle Teile werden ab autorisiertem Lager mit weltweitem Logistikservice versendet.
Vollständige technische Spezifikationen
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Produktserie | GD25T |
| Verpackung | Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR) |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Speichergröße | 512 Mbit |
| Speicherorganisation | 64 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI - Quad I/O, DTR |
| Taktfrequenz | 200 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannungsversorgung | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-WDFN Freiliegendes Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-WSON (6x8) |
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