GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WB256EYIGY
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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GD25WB256EYIGY – Hochleistungsfähiger 256-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher
Der GD25WB256EYIGY von GigaDevice Semiconductor ist ein hochwertiger 256-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher-IC (32 MB), der speziell für anspruchsvolle Embedded- und Industrieanwendungen entwickelt wurde. Dieser hochzuverlässige Flash-Speicher verfügt über eine Quad-I/O-SPI-Schnittstelle mit einer Taktfrequenz von 104 MHz und bietet so eine herausragende Lese-/Schreibleistung für datenintensive Systeme.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hochdichter Speicher: 256 Mbit Kapazität, organisiert als 32M x 8, ideal für Firmware-Speicherung, Datenprotokollierung und Codeausführung
- Hohe Leistungsfähigkeit: 104 MHz Taktfrequenz mit 7,5 ns Zugriffszeit gewährleisten schnellen Datenabruf.
- Quad-I/O-Schnittstelle: Die SPI-Quad-I/O-Unterstützung ermöglicht einen höheren Durchsatz für bandbreitenkritische Anwendungen.
- Breiter Spannungsbereich: Der Betrieb mit 1,65 V bis 3,6 V bietet Flexibilität für verschiedene Systemdesigns.
- Industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 85 °C (TA) – garantiert zuverlässigen Betrieb auch unter rauen Umgebungsbedingungen
- Kompakte Bauform: 8-WSON (6x8mm) SMD-Gehäuse mit freiliegendem Pad für überlegene Wärmeleistung
- SLC-NAND-Technologie: Die Single-Level-Cell-Architektur gewährleistet überragende Ausdauer und Datenspeicherung.
Ideale Anwendungsbereiche
Ideal für industrielle Steuerungen, Automobilsysteme, IoT-Geräte, eingebettete Systeme, Firmware-Speicher, BIOS/UEFI-Anwendungen und alle Systeme, die einen nichtflüchtigen, schnellen Programm- und Datenspeicher mit langer Verfügbarkeit benötigen.
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Technische Spezifikationen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Produktserie | GD25WB |
| Verpackung | Tablett | |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Speichergröße | 256 Mbit |
| Speicherorganisation | 32 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI - Quad I/O |
| Taktfrequenz | 104 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 150µs, 4ms |
| Zugriffszeit | 7,5 ns |
| Spannungsversorgung | 1,65 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-WDFN Freiliegendes Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-WSON (6x8) |

GD25WB256EYIGY.pdf