GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WQ128EQIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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GD25WQ128EQIGR – Hochleistungsfähiger 128-Mbit-SPI-Quad-I/O-NOR-Flash-Speicher
Der GD25WQ128EQIGR von GigaDevice Semiconductor bietet herausragende Leistung und Zuverlässigkeit für eingebettete Systeme, industrielle Automatisierung, Automobilelektronik und IoT-Anwendungen. Dieser 128-Mbit-NOR-Flash-Speicher verfügt über eine fortschrittliche SPI-Quad-I/O-Schnittstellentechnologie, die eine schnelle Datenübertragung mit einer Taktfrequenz von 104 MHz ermöglicht und gleichzeitig einen extrem niedrigen Stromverbrauch in einem breiten Spannungsbereich von 1,65 V bis 3,6 V gewährleistet.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Geschwindigkeit: Die Taktfrequenz von 104 MHz bei einer Zugriffszeit von 8 ns gewährleistet einen schnellen Datenabruf für zeitkritische Anwendungen.
- Flexible Schnittstelle: Die SPI Quad I/O-Schnittstelle bietet vielseitige Anschlussmöglichkeiten für diverse Systemarchitekturen.
- Industrielle Zuverlässigkeit: Der Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 85 °C garantiert gleichbleibende Leistung auch unter rauen Umgebungsbedingungen.
- Optimierte Speicherorganisation: 16M x 8-Architektur (128 Mbit Gesamtkapazität), ideal für Firmware-Speicherung, Bootcode und Datenprotokollierung.
- Breiter Spannungsbereich: Die Versorgungsspannung von 1,65 V bis 3,6 V unterstützt sowohl Anwendungen mit geringem Stromverbrauch als auch Standardanwendungen.
- Kompaktes SMD-Gehäuse: 8-XDFN-Kontaktflächen / 8-USON (4x4) ermöglichen platzsparende Leiterplattendesigns
- Schnelle Schreibleistung: 120 µs Wortschreibzeit, 4 ms Seitenschreibzeit beschleunigen Programmiervorgänge
Ideale Anwendungsbereiche
Diese hochwertige NOR-Flash-Speicherkomponente eignet sich hervorragend für die Avionik in der Luft- und Raumfahrt, Steuergeräte in der Automobilindustrie, industrielle Steuerungen, medizinische Geräte, Telekommunikationsgeräte und IoT-Edge-Geräte der nächsten Generation, bei denen Datenintegrität, langfristige Verfügbarkeit und bewährte Zuverlässigkeit missionskritische Anforderungen sind.
Technische Spezifikationen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Produktserie | GD25WQ |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Speichergröße | 128 Mbit |
| Speicherorganisation | 16 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI - Quad I/O |
| Taktfrequenz | 104 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 120 µs, 4 ms |
| Zugriffszeit | 8 ns |
| Spannungsversorgung | 1,65 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-XDFN Freiliegendes Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-USON (4x4) |

GD25WQ128EQIGR.pdf