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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25WQ128EQIGR

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GD25WQ128EQIGR – Hochleistungsfähiger 128-Mbit-SPI-Quad-I/O-NOR-Flash-Speicher

Der GD25WQ128EQIGR von GigaDevice Semiconductor bietet herausragende Leistung und Zuverlässigkeit für eingebettete Systeme, industrielle Automatisierung, Automobilelektronik und IoT-Anwendungen. Dieser 128-Mbit-NOR-Flash-Speicher verfügt über eine fortschrittliche SPI-Quad-I/O-Schnittstellentechnologie, die eine schnelle Datenübertragung mit einer Taktfrequenz von 104 MHz ermöglicht und gleichzeitig einen extrem niedrigen Stromverbrauch in einem breiten Spannungsbereich von 1,65 V bis 3,6 V gewährleistet.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Geschwindigkeit: Die Taktfrequenz von 104 MHz bei einer Zugriffszeit von 8 ns gewährleistet einen schnellen Datenabruf für zeitkritische Anwendungen.
  • Flexible Schnittstelle: Die SPI Quad I/O-Schnittstelle bietet vielseitige Anschlussmöglichkeiten für diverse Systemarchitekturen.
  • Industrielle Zuverlässigkeit: Der Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 85 °C garantiert gleichbleibende Leistung auch unter rauen Umgebungsbedingungen.
  • Optimierte Speicherorganisation: 16M x 8-Architektur (128 Mbit Gesamtkapazität), ideal für Firmware-Speicherung, Bootcode und Datenprotokollierung.
  • Breiter Spannungsbereich: Die Versorgungsspannung von 1,65 V bis 3,6 V unterstützt sowohl Anwendungen mit geringem Stromverbrauch als auch Standardanwendungen.
  • Kompaktes SMD-Gehäuse: 8-XDFN-Kontaktflächen / 8-USON (4x4) ermöglichen platzsparende Leiterplattendesigns
  • Schnelle Schreibleistung: 120 µs Wortschreibzeit, 4 ms Seitenschreibzeit beschleunigen Programmiervorgänge

Ideale Anwendungsbereiche

Diese hochwertige NOR-Flash-Speicherkomponente eignet sich hervorragend für die Avionik in der Luft- und Raumfahrt, Steuergeräte in der Automobilindustrie, industrielle Steuerungen, medizinische Geräte, Telekommunikationsgeräte und IoT-Edge-Geräte der nächsten Generation, bei denen Datenintegrität, langfristige Verfügbarkeit und bewährte Zuverlässigkeit missionskritische Anforderungen sind.

Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Produktserie GD25WQ
Verpackung Tonband & Spule (TR) |
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat BLITZ
Technologie FLASH - NOR (SLC)
Speichergröße 128 Mbit
Speicherorganisation 16 m x 8
Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O
Taktfrequenz 104 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 120 µs, 4 ms
Zugriffszeit 8 ns
Spannungsversorgung 1,65 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 8-XDFN Freiliegendes Pad
Gerätepaket des Lieferanten 8-USON (4x4)

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