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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25WQ128EYIGY

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GD25WQ128EYIGY - 128-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher

Der GD25WQ128EYIGY ist ein leistungsstarker 128-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher von GigaDevice Semiconductor, der für eingebettete Systeme, industrielle Anwendungen und IoT-Geräte mit Bedarf an zuverlässigem, nichtflüchtigem Speicher entwickelt wurde. Dieser Flash-Speicher verfügt über eine Quad-I/O-SPI-Schnittstelle mit 104 MHz Taktfrequenz und bietet hohe Lese- und Schreibgeschwindigkeiten in einem kompakten 8-WSON-Gehäuse.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Geschwindigkeit: Die Taktfrequenz von 104 MHz in Verbindung mit der SPI-Quad-I/O-Schnittstelle gewährleistet schnellen Datenzugriff und -transfer.
  • Großzügige Kapazität: Die 128-Mbit-Speicherorganisation (16M x 8) bietet ausreichend Speicherplatz für Firmware, Konfigurationsdaten und Anwendungscode.
  • Breiter Spannungsbereich: Die Versorgungsspannung von 1,65 V bis 3,6 V unterstützt diverse Systemarchitekturen und Low-Power-Designs.
  • Industrieller Temperaturbereich: Der Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 85 °C gewährleistet zuverlässige Leistung auch unter rauen Umgebungsbedingungen.
  • Schnelle Schreibzyklen: 120 µs Wortschreibzeit und 4 ms Seitenschreibzeit ermöglichen effiziente Datenaktualisierungen
  • Kompaktes SMD-Gehäuse: 8-WDFN mit freiliegendem Pad (6x8mm WSON) spart wertvollen Platz auf der Leiterplatte.

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Der GD25WQ128EYIGY eignet sich ideal für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter eingebettete Systeme, industrielle Steuerungen, Automobilelektronik, IoT-Geräte, Unterhaltungselektronik, Netzwerkgeräte und Firmware-Speicher. Sein robuster Temperaturbereich und die zuverlässige NOR-Flash-Technologie machen ihn geeignet für unternehmenskritische Anwendungen, die eine langfristige Datenspeicherung erfordern.

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Produktserie GD25WQ
Verpackung Tablett |
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat BLITZ
Technologie FLASH - NOR (SLC)
Speichergröße 128 Mbit
Speicherorganisation 16 m x 8
Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O
Taktfrequenz 104 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 120 µs, 4 ms
Zugriffszeit 8 ns
Spannungsversorgung 1,65 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 8-WDFN Freiliegendes Pad
Gerätepaket des Lieferanten 8-WSON (6x8)

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