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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD55WB512MEYIGR

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GD55WB512MEYIGR - 512 Mbit SPI Quad I/O NOR Flash-Speicher

Der GD55WB512MEYIGR von GigaDevice Semiconductor ist ein leistungsstarker 512-Mbit-NOR-Flash-Speicher-IC mit SPI-Quad-I/O-Schnittstelle. Er wurde für industrielle Anwendungen und Embedded-Systeme entwickelt, die zuverlässigen, nichtflüchtigen Speicher benötigen, und bietet schnelle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten mit einer Taktfrequenz von 104 MHz. Zudem arbeitet er in einem breiten Spannungsbereich von 1,65 V bis 3,6 V.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Speicher mit hoher Dichte: Die 512-Mbit-Speicherorganisation (64M x 8) bietet ausreichend Platz für Firmware, Datenprotokollierung und Code-Speicherung.
  • Schnelle SPI-Quad-I/O-Schnittstelle: Ermöglicht Hochgeschwindigkeits-Datenübertragung mit bis zu 104 MHz für anspruchsvolle Anwendungen
  • Breiter Betriebstemperaturbereich: Funktioniert zuverlässig von -40 °C bis 85 °C, ideal für Industrie- und Automobilumgebungen
  • Flexible Stromversorgung: Betrieb mit 1,65 V bis 3,6 V unterstützt verschiedene Systemarchitekturen.
  • Kompaktes SMD-Gehäuse: 8-WSON (6x8 mm) mit freiliegender Kontaktfläche für effizientes Wärmemanagement
  • SLC-NAND-Technologie: Überlegene Zuverlässigkeit und Langlebigkeit im Vergleich zu MLC-Alternativen

Typische Anwendungen

Dieser NOR-Flash-Speicher eignet sich ideal für eingebettete Systeme, IoT-Geräte, industrielle Steuerungen, Automobilelektronik, Telekommunikationsgeräte, medizinische Geräte und alle Anwendungen, die einen zuverlässigen, schnellen, nichtflüchtigen Speicher mit langer Lebensdauer erfordern.

Vollständige technische Spezifikationen

Autorisierter Distributor: Wir bieten Ihnen Original-GigaDevice-Komponenten mit vollständiger Rückverfolgbarkeit, technischem Support und langfristiger Produktlebenszyklusgarantie für Ihre kritischen Anwendungen.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Produktserie GD55WB
Verpackung Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR)
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat BLITZ
Technologie FLASH - NOR (SLC)
Speichergröße 512 Mbit
Speicherorganisation 64 m x 8
Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O
Taktfrequenz 104 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit -
Spannungsversorgung 1,65 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 8-WDFN Freiliegendes Pad
Gerätepaket des Lieferanten 8-WSON (6x8)

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