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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD55WB512MEYIGY

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GigaDevice GD55WB512MEYIGY - Hochleistungsfähiger 512-Mbit-NOR-Flash-Speicher

Der GD55WB512MEYIGY von GigaDevice Semiconductor ist ein hochzuverlässiger 512-Mbit-NOR-Flash-Speicher, der für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Telekommunikation und der Medizintechnik entwickelt wurde. Dieser SLC-Flash-Speicher (Single-Level Cell) bietet herausragende Leistung mit einer SPI-Quad-I/O-Schnittstelle und einer Taktfrequenz von 104 MHz.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Kapazität: 512 Mbit (64 M x 8) Speicherorganisation für umfangreiche Datenspeicherung
  • Hohe Leistung: 104 MHz Taktfrequenz mit SPI Quad I/O-Schnittstelle für schnelle Datenübertragung
  • Breiter Spannungsbereich: 1,65 V bis 3,6 V Versorgungsspannung für flexible Systemintegration
  • Industrieller Temperaturbereich: Betriebstemperatur von -40 °C bis 85 °C für raue Umgebungen
  • Kompaktes Gehäuse: 8-WSON (6x8 mm) SMD-Gehäuse mit freiliegender Kontaktfläche für effizientes Wärmemanagement
  • Langfristiger Support: Unterstützt durch autorisierten Vertrieb mit vollständiger Rückverfolgbarkeit und integrierten Designressourcen

Anwendungen

Ideal für die Code-Speicherung, Datenprotokollierung, Firmware-Updates und eingebettete Systeme, die nichtflüchtigen Speicher mit hoher Ausdauer und Zuverlässigkeit erfordern. Perfekt für IoT-Geräte, industrielle Steuerungen, Steuergeräte in der Automobilindustrie, Medizintechnik und Telekommunikationsinfrastruktur.

Vollständige technische Spezifikationen

Warum Sie sich für uns entscheiden sollten: Als autorisierter Distributor bieten wir Ihnen Originalkomponenten von GigaDevice mit vollständiger Rückverfolgbarkeit, technischem Support und langfristiger Verfügbarkeitsgarantie. Weltweiter Versand und wettbewerbsfähige Preise für Großbestellungen.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Produktserie GD55WB
Verpackung Tablett | Tablett
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat BLITZ
Technologie FLASH - NOR (SLC)
Speichergröße 512 Mbit
Speicherorganisation 64 m x 8
Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O
Taktfrequenz 104 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit -
Spannungsversorgung 1,65 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 8-WDFN Freiliegendes Pad
Gerätepaket des Lieferanten 8-WSON (6x8)

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