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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD55WR512MEYIGY
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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GD55WR512MEYIGY - Hochleistungsfähiger 512-Mbit-NOR-Flash-Speicher
Der GigaDevice GD55WR512MEYIGY ist ein hochzuverlässiger 512-Mbit-NOR-Flash-Speicher, der für anspruchsvolle Anwendungen in Industrie, Automobilbranche und Telekommunikation entwickelt wurde. Mit seiner SPI-Quad-I/O-Schnittstelle und einer Taktfrequenz von 104 MHz bietet diese Speicherkomponente herausragende Leistung in einem kompakten 8-WSON-Gehäuse.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Große Speicherkapazität: Die 512-Mbit-Organisation (64M x 8) bietet ausreichend Speicherplatz für Firmware, Datenprotokollierung und Codeausführung.
- Schnelle Schnittstelle: Die SPI-Quad-I/O-Schnittstelle mit 104 MHz Taktfrequenz gewährleistet schnellen Datenzugriff und -transfer.
- Breiter Spannungsbereich: Die Versorgungsspannung von 1,65 V bis 3,6 V unterstützt diverse Systemarchitekturen und Low-Power-Designs.
- Industrieller Temperaturbereich: Betriebstemperatur von -40 °C bis 85 °C für zuverlässige Leistung unter rauen Umgebungsbedingungen.
- Kompakte Bauform: Platzsparendes 8-WDFN/8-WSON (6x8mm) SMD-Gehäuse
- Langfristiger Support: GigaDevice verpflichtet sich zu verlängerter Produktverfügbarkeit
Typische Anwendungen
- Automobilelektronik und ADAS-Systeme
- Industrielle Steuerung und Automatisierung
- Telekommunikationsinfrastruktur
- Medizinprodukte und Instrumente
- IoT und eingebettete Systeme
- Firmware-Speicher und Bootcode
Warum GigaDevice-Speicherlösungen wählen?
GigaDevice Semiconductor ist ein führender Anbieter von leistungsstarken und zuverlässigen Speicherlösungen mit nachweislicher Erfolgsbilanz in unternehmenskritischen Anwendungen. Als autorisierter Distributor bieten wir Originalkomponenten mit vollständiger Rückverfolgbarkeit, technischem Support und wettbewerbsfähigen Preisen.
Vollständige technische Spezifikationen
Bestellinformationen
Teilenummer: GD55WR512MEYIGY
Verpackung: Schale
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Alle Produkte stammen aus autorisierten Vertriebskanälen und bieten vollständige Rückverfolgbarkeit und Garantieleistungen des Herstellers. Kontaktieren Sie unser technisches Team für Datenblätter, Anwendungshinweise und Unterstützung bei der Produktentwicklung.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Produktserie | GD55WR |
| Verpackung | Tablett | Tablett |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Speichergröße | 512 Mbit |
| Speicherorganisation | 64 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI - Quad I/O |
| Taktfrequenz | 104 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannungsversorgung | 1,65 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-WDFN Freiliegendes Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-WSON (6x8) |
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