GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ4UFYIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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GD5F1GQ4UFYIGR - 1-Gbit-SPI-NAND-Flash-Speicher
Der GD5F1GQ4UFYIGR von GigaDevice Semiconductor ist ein leistungsstarker 1-Gbit-SPI-NAND-Flash-Speicher, der speziell für anspruchsvolle Embedded-Anwendungen entwickelt wurde. Mit seiner Quad-I/O-SPI-Schnittstelle und einer Taktfrequenz von 120 MHz bietet diese Speicherlösung hohe Lese- und Schreibgeschwindigkeiten bei gleichzeitig niedrigem Stromverbrauch über einen weiten Betriebstemperaturbereich.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Speicherdichte: 1 Gbit (128 MB x 8) Kapazität für datenintensive Anwendungen
- Schnelle Schnittstelle: SPI Quad I/O mit 120 MHz Taktfrequenz ermöglicht schnelle Datenübertragung
- Breiter Spannungsbereich: Betrieb mit 2,7 V bis 3,6 V für flexible Systemintegration
- Industrieller Temperaturbereich: Der Betrieb bei -40 °C bis 85 °C gewährleistet Zuverlässigkeit auch unter rauen Umgebungsbedingungen.
- Kompakte Bauform: Das 8-WSON (6x8mm) SMD-Gehäuse spart Platz auf der Platine.
- RoHS-konform: Umweltfreundliche, bleifreie Konstruktion
Ideale Anwendungsbereiche
Ideal für Automobilsysteme, industrielle Steuerungen, IoT-Geräte, eingebettete Systeme, Datenprotokollierung, Firmware-Speicherung und Telekommunikationsgeräte, die zuverlässigen, hochdichten, nichtflüchtigen Speicher mit langer Lebensdauer benötigen.
Vollständige technische Spezifikationen
Alle Spezifikationen unterliegen den Angaben im Herstellerdatenblatt. Kontaktieren Sie uns für Mengenrabatte, individuelle Verpackungsoptionen und technischen Support.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Produktserie | |
| Verpackung | Schneideband (CT) | Band und Rolle (TR) |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | Flash-Speicher - NAND |
| Speichergröße | 1 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 128 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI - Quad I/O |
| Taktfrequenz | 120 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 700µs |
| Zugriffszeit | - |
| Spannungsversorgung | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-WDFN Freiliegendes Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-WSON (6x8) |
| RoHS |

GD5F1GQ4UFYIGR.pdf