GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ5REY2GY
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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GD5F1GQ5REY2GY – Hochzuverlässiger 1-Gbit-SPI-NAND-Flash-Speicher
Der GD5F1GQ5REY2GY von GigaDevice Semiconductor ist ein hochwertiger 1-Gbit-SPI-NAND-Flash-Speicher-IC, der für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der industriellen Steuerungstechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Diese Hochleistungsspeicherlösung bietet außergewöhnliche Zuverlässigkeit und Datenintegrität für eingebettete Systeme, die nichtflüchtigen Speicher benötigen.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Übertragungsgeschwindigkeit: Die Taktfrequenz von 104 MHz mit Quad-I/O- und DTR-Unterstützung ermöglicht eine schnelle Datenübertragung für zeitkritische Anwendungen.
- Erweiterter Temperaturbereich: Der Betrieb bei -40 °C bis 105 °C gewährleistet zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Industrie- und Automobilumgebungen.
- Geringer Stromverbrauch: Die Versorgungsspannung von 1,7 V bis 2 V optimiert die Energieeffizienz für batteriebetriebene und eingebettete Systeme.
- Kompakte Bauform: Das oberflächenmontierbare 8-WSON-Gehäuse (6x8 mm) spart wertvollen Platz auf der Leiterplatte bei beengten Platzverhältnissen.
- SLC-NAND-Technologie: Die Single-Level-Cell-Architektur bietet im Vergleich zu MLC-Alternativen eine überlegene Ausdauer und Datenspeicherung.
- Schnelle Schreibleistung: Eine Seitenschreibzykluszeit von 600 µs beschleunigt die Datenprotokollierung und Firmware-Updates.
Ideale Anwendungsbereiche
Dieser Speicher-IC eignet sich perfekt für die Speicherung von Code, Datenprotokollierung, Firmware-Updates und Konfigurationen in Kfz-Steuergeräten, industriellen SPSen, medizinischen Geräten, Luft- und Raumfahrtelektronik sowie Telekommunikationsinfrastrukturen.
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Produktserie | GD5F |
| Verpackung | Tablett | |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Speichergröße | 1 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 256 m x 4 |
| Speicherschnittstelle | SPI - Quad I/O, DTR |
| Taktfrequenz | 104 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 600µs |
| Zugriffszeit | 9,5 ns |
| Spannungsversorgung | 1,7 V ~ 2 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-WDFN Freiliegendes Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-WSON (6x8) |
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