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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD5F1GQ5REY2GY

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GD5F1GQ5REY2GY – Hochzuverlässiger 1-Gbit-SPI-NAND-Flash-Speicher

Der GD5F1GQ5REY2GY von GigaDevice Semiconductor ist ein hochwertiger 1-Gbit-SPI-NAND-Flash-Speicher-IC, der für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der industriellen Steuerungstechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Diese Hochleistungsspeicherlösung bietet außergewöhnliche Zuverlässigkeit und Datenintegrität für eingebettete Systeme, die nichtflüchtigen Speicher benötigen.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Übertragungsgeschwindigkeit: Die Taktfrequenz von 104 MHz mit Quad-I/O- und DTR-Unterstützung ermöglicht eine schnelle Datenübertragung für zeitkritische Anwendungen.
  • Erweiterter Temperaturbereich: Der Betrieb bei -40 °C bis 105 °C gewährleistet zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Industrie- und Automobilumgebungen.
  • Geringer Stromverbrauch: Die Versorgungsspannung von 1,7 V bis 2 V optimiert die Energieeffizienz für batteriebetriebene und eingebettete Systeme.
  • Kompakte Bauform: Das oberflächenmontierbare 8-WSON-Gehäuse (6x8 mm) spart wertvollen Platz auf der Leiterplatte bei beengten Platzverhältnissen.
  • SLC-NAND-Technologie: Die Single-Level-Cell-Architektur bietet im Vergleich zu MLC-Alternativen eine überlegene Ausdauer und Datenspeicherung.
  • Schnelle Schreibleistung: Eine Seitenschreibzykluszeit von 600 µs beschleunigt die Datenprotokollierung und Firmware-Updates.

Ideale Anwendungsbereiche

Dieser Speicher-IC eignet sich perfekt für die Speicherung von Code, Datenprotokollierung, Firmware-Updates und Konfigurationen in Kfz-Steuergeräten, industriellen SPSen, medizinischen Geräten, Luft- und Raumfahrtelektronik sowie Telekommunikationsinfrastrukturen.

Vollständige technische Spezifikationen

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Verwandte Produkte und Ressourcen

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Produktserie GD5F
Verpackung Tablett |
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat BLITZ
Technologie FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße 1 Gbit/s
Speicherorganisation 256 m x 4
Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O, DTR
Taktfrequenz 104 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 600µs
Zugriffszeit 9,5 ns
Spannungsversorgung 1,7 V ~ 2 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 105 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 8-WDFN Freiliegendes Pad
Gerätepaket des Lieferanten 8-WSON (6x8)

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