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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ5UEBIGY
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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GD5F1GQ5UEBIGY – Hochleistungsfähiger 1-Gbit-SPI-NAND-Flash-Speicher
Der GD5F1GQ5UEBIGY von GigaDevice Semiconductor ist ein Premium-1-Gbit-SPI-NAND-Flash-Speicher, der speziell für anspruchsvolle Embedded- und Industrieanwendungen entwickelt wurde. Ausgestattet mit fortschrittlicher SLC-NAND-Technologie (Single-Level Cell) mit Quad-I/O- und DTR-Unterstützung (Double Transfer Rate) bietet dieser Speicherbaustein herausragende Leistung mit einer Taktfrequenz von 133 MHz und einer ultraschnellen Zugriffszeit von 7 ns.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: 133 MHz Taktfrequenz mit SPI Quad I/O-Schnittstelle und DTR-Unterstützung für maximalen Durchsatz
- Großzügige Kapazität: 1 Gbit (128M x 8) Speicherorganisation, ideal für Code-Speicherung, Datenprotokollierung und Firmware-Anwendungen
- Industrielle Zuverlässigkeit: Der breite Betriebstemperaturbereich (-40 °C bis 85 °C) gewährleistet einen stabilen Betrieb auch unter rauen Umgebungsbedingungen.
- Flexible Stromversorgung: Spannungsbereich von 2,7 V bis 3,6 V, kompatibel mit verschiedenen Systemarchitekturen
- Kompakte Bauform: Platzsparendes 24-TFBGA-Gehäuse (6 x 8 mm), ideal für Designs mit begrenztem Platzangebot.
- Schnelle Schreibleistung: 600 µs Seitenschreibzykluszeit für effiziente Datenspeicherung
Ideale Anwendungsbereiche
Dieser SPI-NAND-Flash-Speicher eignet sich perfekt für Automobilelektronik, industrielle Steuerungssysteme, IoT-Geräte, eingebettete Computerplattformen, Unterhaltungselektronik und Datenerfassungssysteme, die einen zuverlässigen, nichtflüchtigen Speicher mit hoher Ausdauer erfordern.
Technische Spezifikationen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Produktserie | GD5F |
| Verpackung | Tablett | |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Speichergröße | 1 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 128 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI - Quad I/O, DTR |
| Taktfrequenz | 133 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 600µs |
| Zugriffszeit | 7 ns |
| Spannungsversorgung | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 24-TBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 24-TFBGA (6x8) |
GD5F1GQ5UEBIGY.pdf