GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ5UEYIHR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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GD5F1GQ5UEYIHR - Hochleistungsfähiger 1-Gbit-SPI-NAND-Flash-Speicher
Der GD5F1GQ5UEYIHR von GigaDevice Semiconductor bietet zuverlässigen, schnellen, nichtflüchtigen Speicher für anspruchsvolle Embedded- und Industrieanwendungen. Dieser 1-Gbit-SPI-NAND-Flash-Speicher-IC vereint herausragende Leistung mit robusten Betriebseigenschaften und eignet sich daher ideal für Datenprotokollierung, Firmware-Speicherung und Codeausführung in unternehmenskritischen Systemen.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: 133 MHz Taktfrequenz mit Quad-I/O und DTR-Unterstützung für schnellen Datenzugriff und -transfer
- Großzügige Kapazität: 1 Gbit (128 MB) organisiert als 256 M x 4 für flexibles Datenmanagement
- Industrielle Zuverlässigkeit: Der Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 85 °C gewährleistet einen stabilen Betrieb auch unter rauen Umgebungsbedingungen.
- Geringer Stromverbrauch: Die Versorgungsspannung von 2,7 V bis 3,6 V optimiert die Energieeffizienz.
- Schnelle Schreibleistung: 600 µs Seitenschreibzykluszeit bei 7 ns Zugriffszeit
- Kompakte Bauform: Platzsparendes 8-WSON (6x8 mm) SMD-Gehäuse mit freiliegendem Pad für verbesserte Wärmeleistung
- SLC-NAND-Technologie: Die Single-Level-Cell-Architektur bietet überlegene Ausdauer und Datenspeicherung.
Ideale Anwendungsbereiche
Diese vielseitige Flash-Speicherkomponente eignet sich hervorragend für Automobilelektronik, industrielle Steuerungssysteme, IoT-Geräte, eingebettete Computerplattformen, Netzwerkinfrastrukturgeräte und Unterhaltungselektronik, die einen zuverlässigen nichtflüchtigen Speicher benötigen.
Technische Spezifikationen
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Wir bei HQICKEY sind spezialisiert auf die Bereitstellung authentischer, hochzuverlässiger Halbleiterkomponenten für professionelle Anwendungen. Unser umfangreiches Speichersortiment umfasst EEPROM-, Flash-, DRAM- und SRAM-Lösungen führender Hersteller und stellt sicher, dass Sie die benötigten Komponenten für Ihre kritischen Projekte erhalten.
Jede GD5F1GQ5UEYIHR-Einheit stammt direkt aus autorisierten Vertriebskanälen und unterliegt unserem Qualitätsversprechen. Wir bieten Ihnen kompetenten technischen Support, um die optimale Speicherlösung für Ihre spezifischen Anwendungsanforderungen zu finden.
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Produktserie | GD5F |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Speichergröße | 1 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 256 m x 4 |
| Speicherschnittstelle | SPI - Quad I/O, DTR |
| Taktfrequenz | 133 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 600µs |
| Zugriffszeit | 7 ns |
| Spannungsversorgung | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-WDFN Freiliegendes Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-WSON (6x8) |
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