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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ5UEYIHY
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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GD5F1GQ5UEYIHY – Hochleistungsfähiger 1-Gbit-SPI-NAND-Flash-Speicher
Der GD5F1GQ5UEYIHY von GigaDevice Semiconductor ist ein hochwertiger 1-Gbit-SPI-NAND-Flash-Speicher-IC, der speziell für eingebettete Systeme entwickelt wurde, die zuverlässigen, schnellen und nichtflüchtigen Speicher benötigen. Diese fortschrittliche Speicherlösung verfügt über eine Quad-I/O-SPI-Schnittstelle mit DTR-Unterstützung (Double Transfer Rate) und bietet herausragende Leistung bei einer Taktfrequenz von 133 MHz für anspruchsvolle Industrie- und Verbraucheranwendungen.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: 133 MHz Taktfrequenz mit Quad-I/O-SPI- und DTR-Unterstützung gewährleisten schnellen Datenzugriff und -transfer.
- Großzügige Kapazität: 1 Gbit (128 MB) Speicher, organisiert als 256 MB x 4 für flexibles Speichermanagement
- Industrielle Zuverlässigkeit: Breiter Betriebstemperaturbereich (-40 °C bis 85 °C), geeignet für raue Umgebungen
- Betrieb mit geringem Stromverbrauch: Der Versorgungsspannungsbereich von 2,7 V bis 3,6 V optimiert die Energieeffizienz.
- Schnelle Zugriffszeit: 7 ns Zugriffszeit bei einem Seitenschreibzyklus von 600 µs für eine reaktionsschnelle Systemleistung
- Kompakte Bauform: Platzsparendes 8-WSON (6x8 mm) SMD-Gehäuse mit freiliegendem Pad für verbesserte Wärmeleistung
- SLC-NAND-Technologie: Die Single-Level-Cell-Architektur bietet überlegene Ausdauer und Datenspeicherung.
Ideale Anwendungsbereiche
Dieser vielseitige NAND-Flash-Speicher eignet sich perfekt für eingebettete Systeme, IoT-Geräte, industrielle Steuerungen, Automobilelektronik, Unterhaltungselektronik, Datenprotokollierungssysteme, Firmware-Speicherung und Bootcode-Anwendungen, bei denen ein zuverlässiger, nichtflüchtiger Speicher unerlässlich ist.
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Produktserie | GD5F |
| Verpackung | Tablett | |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Speichergröße | 1 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 256 m x 4 |
| Speicherschnittstelle | SPI - Quad I/O, DTR |
| Taktfrequenz | 133 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 600µs |
| Zugriffszeit | 7 ns |
| Spannungsversorgung | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-WDFN Freiliegendes Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-WSON (6x8) |
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