GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GM7REWIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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GD5F2GM7REWIGR – Hochleistungsfähiger 2-Gbit-SPI-NAND-Flash-Speicher
Der GD5F2GM7REWIGR von GigaDevice Semiconductor ist ein hochzuverlässiger 2-Gbit-SPI-NAND-Flash-Speicher-IC, der für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation entwickelt wurde. Diese fortschrittliche Speicherlösung bietet außergewöhnliche Leistung mit Quad-I/O-SPI-Schnittstelle und DTR-Unterstützung und ermöglicht Datenübertragungsraten von bis zu 104 MHz.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Kapazität: Die 2-Gbit-Speicherorganisation (256M x 8) bietet ausreichend Speicherplatz für eingebettete Anwendungen.
- Hohe Leistungsfähigkeit: 104 MHz Taktfrequenz bei 9 ns Zugriffszeit gewährleistet schnellen Datenabruf.
- Erweiterte Schnittstelle: SPI Quad I/O mit DTR-Unterstützung (Double Transfer Rate) maximiert den Durchsatz
- Industriequalität: Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 85 °C für raue Umgebungen
- Niedriger Stromverbrauch: Eine Versorgungsspannung von 1,7 V bis 2 V optimiert die Energieeffizienz.
- Zuverlässige Technologie: Die SLC-NAND-Flash-Architektur gewährleistet Datenintegrität und Langlebigkeit.
- Kompaktes Gehäuse: Das 8-WSON (5x6mm) SMD-Gehäuse spart Platz auf der Platine.
Anwendungen
Ideal für Kfz-Steuergeräte, industrielle Steuerungen, IoT-Geräte, medizinische Geräte, Telekommunikationsinfrastruktur und alle eingebetteten Systeme, die einen hochdichten, zuverlässigen, nichtflüchtigen Speicher mit schneller serieller Schnittstelle benötigen.
Technische Spezifikationen
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Verwandte Ressourcen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Produktserie | GD5F |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 256 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI - Quad I/O, DTR |
| Taktfrequenz | 104 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 600µs |
| Zugriffszeit | 9 ns |
| Spannungsversorgung | 1,7 V ~ 2 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-WDFN Freiliegendes Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-WSON (5x6) |
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