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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GM7REWIGY
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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GigaDevice GD5F2GM7REWIGY – Hochleistungsfähiger 2-Gbit-SPI-NAND-Flash-Speicher
Der GD5F2GM7REWIGY von GigaDevice Semiconductor bietet herausragende Leistung und Zuverlässigkeit für anspruchsvolle Industrie-, Automobil- und Embedded-Anwendungen. Dieser 2-Gbit-SPI-NAND-Flash-Speicher verfügt über eine fortschrittliche Quad-I/O-Schnittstelle mit DTR (Double Transfer Rate) und ermöglicht so eine Hochgeschwindigkeits-Datenübertragung mit einer Taktfrequenz von 104 MHz.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: 104 MHz Taktfrequenz mit Quad-I/O und DTR-Unterstützung gewährleisten schnellen Datenzugriff und -transfer.
- Großzügige Kapazität: Die 2-Gbit-Speicherorganisation (512 MB x 4) bietet ausreichend Speicherplatz für komplexe Anwendungen.
- Industrielle Zuverlässigkeit: Der Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 85 °C macht es ideal für raue Umgebungen
- Geringer Stromverbrauch: Die Versorgungsspannung von 1,7 V bis 2 V optimiert die Energieeffizienz.
- Schnelle Zugriffszeit: 9 ns Zugriffszeit bei einem Schreibzyklus von 600 µs gewährleisten reaktionsschnelle Leistung.
- Kompaktes SMD-Gehäuse: 8-WDFN (5x6 mm) mit freiliegendem Pad für optimale Wärmeableitung
Ideale Anwendungsbereiche
Diese hochwertige NAND-Flash-Speicherkomponente eignet sich perfekt für Luft- und Raumfahrtsysteme, Automobilelektronik, industrielle Steuerungssysteme, medizinische Geräte, Telekommunikationsgeräte und andere unternehmenskritische Anwendungen, die eine langfristige Verfügbarkeit und vollständige Rückverfolgbarkeit erfordern.
Technische Spezifikationen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Produktserie | GD5F |
| Verpackung | Tablett | |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 512 m x 4 |
| Speicherschnittstelle | SPI - Quad I/O, DTR |
| Taktfrequenz | 104 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 600µs |
| Zugriffszeit | 9 ns |
| Spannungsversorgung | 1,7 V ~ 2 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-WDFN Freiliegendes Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-WSON (5x6) |
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