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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD5F2GM7UEYIGY

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GD5F2GM7UEYIGY - 2-Gbit-SPI-NAND-Flash-Speicher

Der GD5F2GM7UEYIGY von GigaDevice Semiconductor ist ein leistungsstarker 2-Gbit-SPI-NAND-Flash-Speicher, der für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Diese nichtflüchtige Speicherlösung bietet außergewöhnliche Zuverlässigkeit und Leistung mit SPI-Quad-I/O-Schnittstelle und DTR-Unterstützung.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Speicher mit hoher Dichte: Die 2-Gbit-Speicherorganisation (256M x 8) bietet ausreichend Kapazität für datenintensive Anwendungen.
  • Hohe Leistungsfähigkeit: 133 MHz Taktfrequenz mit 7 ns Zugriffszeit gewährleisten schnellen Datenabruf.
  • Erweiterte Schnittstelle: SPI Quad I/O mit DTR (Double Transfer Rate) maximiert die Durchsatzeffizienz
  • Industrielle Zuverlässigkeit: Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 85 °C für raue Umgebungen
  • Betrieb mit niedrigem Stromverbrauch: Eine Versorgungsspannung von 2,7 V bis 3,6 V optimiert die Energieeffizienz.
  • SLC-NAND-Technologie: Überlegene Ausdauer und Datenspeicherung im Vergleich zu MLC/TLC-Alternativen
  • Kompakte Bauform: Das 8-WSON (6x8mm) SMD-Gehäuse spart wertvollen Platz auf der Leiterplatte.

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Der GD5F2GM7UEYIGY eignet sich ideal für eingebettete Systeme, die einen zuverlässigen nichtflüchtigen Speicher benötigen, darunter:

  • Infotainment- und Fahrerassistenzsysteme für Fahrzeuge
  • Industrielle Steuerungs- und Automatisierungsgeräte
  • Medizinische Diagnose- und Überwachungsgeräte
  • Avionik und Flugsteuerungssysteme für die Luft- und Raumfahrt
  • Telekommunikationsinfrastruktur
  • IoT-Edge-Computing-Geräte
  • Datenprotokollierung und Firmware-Speicherung

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Produktserie GD5F
Verpackung Tablett |
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat BLITZ
Technologie FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße 2 Gbit/s
Speicherorganisation 256 m x 8
Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O, DTR
Taktfrequenz 133 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 600µs
Zugriffszeit 7 ns
Spannungsversorgung 2,7 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 8-WDFN Freiliegendes Pad
Gerätepaket des Lieferanten 8-WSON (6x8)

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